[发明专利]一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料

权利要求书

1.一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，以BaTiO₃粉体为基料，在此基础上，外加质量百分比为0.3～1.3％的Na_0.5Bi_0.5TiO₃及0.6～3.5％的Nb₂O₅。

所述的Na_0.5Bi_0.5TiO₃，是将Na₂CO₃、Bi₂O₃和TiO₂按摩尔量比为1:1:4合成；

该抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料的制备方法，具有如下步骤：

(1)合成Na_0.5Bi_0.5TiO₃

将Na₂CO₃、Bi₂O₃和TiO₂按摩尔量比为1:1:4进行配料，混合球磨4小时后烘干、过40目分样筛，于950℃煅烧4小时，制得Na_0.5Bi_0.5TiO₃；

(2)以BaTiO₃作为基料，掺杂质量百分比0.3～1.3％的Na_0.5Bi_0.5TiO₃，混合球磨4小时，烘干后于1050℃空气气氛煅烧8小时，制得BT-NBT混合物；

(3)在BT-NBT中添加质量百分比的0.6～3.5％的Nb₂O₅，所配原料与去离子水混合后球磨4～8小时，烘干后外加质量百分比为7％的粘结剂，过80目分样筛造粒；

(4)将步骤(3)的造粒粉料压制成生坯，经排胶后，于氢气百分比为0％～5％的氮氢混合还原气氛中1290℃～1315℃烧结，气体流速40～120mL/min，保温3小时，制得抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料。

2.根据权利要求1所述的一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，其特征在于，所述Na_0.5Bi_0.5TiO₃的外加质量百分比为0.5wt％。

3.根据权利要求1所述的一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(4)的生坯为Ф15×1～1.3mm的圆片生坯。

4.根据权利要求1所述的一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(4)的生坯经3.5小时升温至550℃排胶，再经3.5小时升至1300℃烧结，保温3小时，升温速率控制在3～4℃/min。

5.根据权利要求1所述的一种抗还原巨介电常数多层陶瓷电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(4)中通入的氮氢混合气体气流流速为80mL/min。