[发明专利]一种低温烧结高介电常数电容器介质材料

权利要求书

1.一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，化学式为Bi₂(Mg_1-xCu_x)_2/3Nb_4/3O₇，其中x＝0.05～0.2。

该电容器介质材料的制备方法，具有如下步骤：

(1)将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、CuO、MgO按Bi₂(Mg_1-xCu_x)_2/3Nb_4/3O₇，其中x＝0.05～0.2的化学式称量配料；

(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于750℃下煅烧4小时，合成主晶相；

(4)在步骤(3)合成主晶相后的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以4MPa的压力成型为坯体；

(5)将步骤(4)成型后的坯体于850～950℃烧结，保温4小时，制成高介电常数温度稳定型陶瓷电容器介质材料。

2.根据权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(2)或步骤(4)的烘干温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(2)或步骤(4)的陶瓷粉体与氧化锆球、去离子水的质量比为1∶1∶2。

4.根据权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(4)的坯体为Φ10mm×1mm的圆片。

5.根据权利要求1所述的一种低温烧结高介电常数电容器介质材料，其特征在于，所述步骤(5)的烧结温度为925℃，保温时间为4h。