[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制作方法及阵列基板。

背景技术

现在开发的自容内嵌式(Incell Touch)触控技术是将有效显示区的公共电极分成小区块作为触控电极。每个触控电极都有连接触控芯片的触控信号线以接收触控信号。

参阅图1，图1为现有的阵列基板的结构示意图，如图1所示，在现有的阵列基板制程中，在基板101上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道102。在有源层上依次生长第一绝缘层103和第一金属层，以形成薄膜晶体管的栅极104和扫描线105。在第一金属层上生长第二绝缘层106，随后在第二绝缘层上生长第二金属层，以形成薄膜晶体管的源极107和漏极108，以及数据线109，接着在第二金属层上依次生长有机平坦化层110和第三金属层，以形成触控信号线111。在第三金属层上依次生长第三绝缘层112和第四金属层，以形成触控电极113。在第四金属层上生长第四绝缘层114和第五金属层，以形成像素电极115。其中，像素115电极通过第一过孔116与薄膜晶体管的漏极108连接，触控电极113通过第二过孔117与触控信号线111连接。

由此可见，为了制作触控信号线111，在制作阵列基板时，新增一道金属制程，及第三金属层，其增加了产品的制作成本并且会降低产品的良率。

故，有必要提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，能够简化工艺流程，进而节约成本，提高产品的良率以及市场竞争力。

本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括：

基板；

在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上生长第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上生长第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上生长第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上生长第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；

在所述第二金属层上生长有机平坦化层；

在所述有机平坦化层上生长第三金属层，以形成触控电极，其中，所述触控电极与所述触控信号线连接；

在所述第三金属层上生长第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上生长第四金属层，以形成像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述连接线通过所述第一通孔与所述第一数据线连接，所述连接线通过所述第二通孔与所述第二数据线连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述薄膜晶体管的源极通过第三通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的一端连接，所述薄膜晶体管的漏极通过第四通孔与所述薄膜晶体管的导电沟道的另一端连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第三通孔以及所述第四通孔均贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述像素电极通过第五通孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第五通孔均贯穿所述第三绝缘层、所述第三金属层以及所述有机平坦化层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述触控电极通过第六通孔与所述触控信号线连接。

在本发明的阵列基板的制作方法中，所述第六通孔贯穿所述有机平坦化层。

在本发明的阵列基板的制作方法中，在所述在所述基板上生长有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道的步骤之前，还包括：

在所述基板上依次形成遮光层以及第四绝缘层。

依据本发明的上述目的，还提供一种阵列基板，包括：

基板；

在所述基板上的有源层，以形成薄膜晶体管的导电沟道；

在所述有源层上的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上的第一金属层，以形成所述薄膜晶体管的栅极、扫描线、第一数据线第二数据线；其中，所述第一数据线与所述第二数据线位于所述扫描线两端，且互不连接；

在所述第一金属层上的第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上的第二金属层，以形成所述薄膜晶体管的源极、漏极、连接线以及触控信号线；其中，所述连接线用于连接所述第一数据线与所述第二数据线；