[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上沉积第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成源极及漏极；

形成覆盖所述源极及漏极的碳量子点有源层；

在所述碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述源极及漏极的碳量子点有源层包括：

将所述碳量子点溶解在辛烷中以形成第一混合溶液；

使用旋涂法在所述第一绝缘层、源极及漏极上，将所述第一混合溶液旋涂成碳量子点膜层；

对所述碳量子点膜层进行真空烘烤以形成覆盖所述源极及漏极的所述碳量子点有源层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉积第一绝缘层包括：

通过化学气相沉积法在所述基板上形成第一材料层，所述第一材料层为氧化硅层、氧化铝层、氮化硅层或所述氧化硅、氧化铝及氮化硅的混合层；

使用第二混合溶液对所述第一材料层进行浸泡冲洗；

烘干浸泡冲洗后的所述第一材料层以形成所述第一绝缘层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成源极及漏极包括：

以蒸镀的方式在所述第一绝缘层上形成源极、漏极金属层；

对所述源极、漏极金属层图案化处理以形成所述源极及漏极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极包括：

通过化学气相沉积法在所述碳量子点有源层上沉积第二材料层，所述第二材料层为氧化硅层、氧化铝层、氮化硅层或所述氧化硅、氧化铝及氮化硅的混合层；

使用所述第二混合溶液对所述第二材料层进行浸泡冲洗；

烘干浸泡冲洗后的所述第二材料层以形成所述第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述碳量子点有源层上依次形成第二绝缘层及栅极进一步包括：

以蒸镀的方式在所述第二绝缘层上形成栅金属层；

对所述栅金属层进行图案化处理以形成所述栅极。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二混合溶液为丙酮、甲醇和异丙醇的混合溶液。

8.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括：

位于基板上的源极和漏极；

与所述源极和所述漏极接触的有源层，其中，所述有源层为碳量子点有源层。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管进一步包括位于所述源极和所述漏极上的绝缘层及在所述绝缘层上的栅极。

10.根据权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管进一步包括在所述基板上由下至上依次层叠的栅极及绝缘层，所述碳量子点有源层位于所述绝缘层上，所述源极和所述漏极位于所述碳量子点有源层上。