[发明专利]硅外延反应腔用梯形基座在审
| 申请号： | 201710202521.9 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106906455A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 侯志义;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;任丽翠 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/455;C30B25/12;C30B25/14 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 反应 梯形 基座 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅外延反应腔用梯形基座，包括梯形基座本体（1），所述梯形基座本体（1）为筒状多面体结构，所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽（2），其特征在于：所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条（3）。
2.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述档条（3）设有两根，沿所述连接面的上、下方向设置。
3.如权利要求2所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：每个连接面上的两根档条（3）之间设有空隙。
4.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述档条（3）的横截面为正方形。
5.如权利要求1所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述硅片放置槽（2）设有两个。
6.如权利要求5所述的硅外延反应腔用梯形基座，其特征在于：所述两个硅片放置槽（2）靠近所述基座本体的下侧设置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
