[发明专利]一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其将作为色转换介质的纳米级的量子点均匀混入光固化树脂中并在基板上利用3D打印技术打印量子点薄膜，具体包括如下步骤：

(1)配制含有量子点的光固化树脂：将量子点和光固化树脂混合并搅拌均匀，获得含有量子点的光固化树脂；

(2)切片分层：建立所要获得的量子点薄膜的计算机模型，并对其进行切片分层，得到每一层的成型数据；

(3)3D打印：将步骤(1)获得的含有量子点的光固化树脂导入3D打印机并将步骤(2)得到的每一层的成型数据与3D打印机关联，然后按照每一层的成型数据在基板上进行逐层打印，最终得到所要的量子点薄膜，

其中在步骤(3)中的于基板上进行逐层打印时采用紫外曝光的方式进行同步固化。

2.根据权利要求1所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中所述量子点的种类是由最终所需的色坐标和基板的本征光色和光功率所共同决定的。

3.根据权利要求2所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的量子点可以是同种发射峰的同结构量子点，不同发射峰的不同结构量子点或多种发射峰多种结构的量子点。

4.根据权利要求3所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的量子点的溶解性和所述光固化树脂的溶解性相同。

5.根据权利要求1所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的光固化树脂是经过紫外光曝光之后可以固化的所有种类的光固化树脂。

6.根据权利要求1所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的基板为LED芯片或其他基板。

7.根据权利要求6所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述LED芯片为正装LED芯片，倒装LED芯片,垂直结构的LED芯片或有机LED芯片。

8.根据权利要求1所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的紫外曝光的条件以所用光固化树脂完全固化为准。

9.根据权利要求1所述的一种基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所获得的LED用量子点薄膜的厚度范围为5nm-5mm。

10.一种通过权利要求1-9中任一项所述的基于3D打印技术的LED用量子点薄膜的制备方法制备的LED用量子点薄膜。