[发明专利]浮空栅-漏复合场板垂直型电力电子器件

权利要求书

1.一种浮空栅-漏复合场板垂直型电力电子器件，包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(15)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(12)，两个源极(12)下方通过离子注入形成两个注入区(11)，源极之间的势垒层上外延有帽层(8)，帽层(8)两侧刻有两个台阶(9)，帽层上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13)，钝化层(15)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：

所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧；

所述钝化层(15)，是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成，该钝化层两侧制作有浮空栅-漏复合场板(14)；

所述浮空栅-漏复合场板(14)，每一侧均由一个栅场板、一个漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成；

该多个栅浮空场板，自下而上依次为第一栅浮空场板、第二栅浮空场板至第M栅浮空场板，第一栅浮空场板、第二栅浮空场板至第M栅浮空场板，均为浮空型场板，且相互之间相互独立；栅场板与栅极(10)电气连接，M根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数；

该多个漏浮空场板，自下而上依次为第一漏浮空场板、第二漏浮空场板至第Q漏浮空场板，第一漏浮空场板至第Q漏浮空场板为浮空型场板，且相互之间相互独立；漏场板与肖特基漏极(13)电气连接，Q根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm，宽度c为0.2～1μm，第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm，宽度d为1.4～3.4μm，且满足a>b。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，漏场板、第一漏浮空场板、第二漏浮空场板至第Q漏浮空场板的厚度相等，均表述为L₁；宽度相同，均表述为D₁，L₁为0.5～3μm，D₁为0.5～6μm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于同一侧的漏场板及Q个漏浮空场板，均相互平行，且相邻两个场板之间绝缘介质材料的厚度，即相邻两个场板之间的间距S_i不同，且自下而上依次增大，第一漏浮空场板与漏场板的垂直间距S₁的范围为0.1～1.5μm，i为整数，Q≥i≥1。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于同一侧的漏场板及各个漏浮空场板均相互平行，且距离漂移层(2)的水平距离T₁均相等，T₁为0.2～0.6μm，漏场板下边缘与衬底(1)下边缘水平对齐。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于同一侧的栅场板及各栅浮空场板均相互平行，且距离漂移层(2)的水平距离T₂相等，T₂满足关系：d<3.5a，其中，a为第一阻挡层(41)的厚度，d为第二阻挡层(42)的宽度。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一栅浮空场板、第二栅浮空场板至第M栅浮空场板的厚度相等，均表述为L₂，宽度相同，均表述为D₂，L₂为0.5～3μm，D₂为0.5～6μm；栅场板上边缘所在高度高于第一阻挡层(41)下边缘所在高度，栅场板与漂移层在垂直方向上的交叠长度等于L₂。