[发明专利]有机EL显示装置和有机EL显示装置的制造方法

说明书

本发明提供有机EL显示装置和该有机EL显示装置的制造方法，不导致过度的亮度降低和消耗电力的增加就可改善每个像素的晶体管特性不均。本发明的有机EL显示装置具有多个像素，在上述各像素中具有控制流过有机EL元件的电流的晶体管，上述晶体管包括：一方与上述有机EL元件电连接、另一方被从上述有机EL显示装置的外部供给电源的漏电极和源电极；形成在上述源电极与上述漏电极之间的第1栅电极；和形成在上述第1栅电极的下层侧的半导体膜，上述半导体膜中的、上述栅电极与上述漏电极或上述源电极之间的区域的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子。

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置和有机EL显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，使用了被称为有机发光二极管(OLED：Organic Light Emitting Diode)的自发光体(以下，称为有机EL元件)的有机EL显示装置正在实用化。有机EL显示装置使用设于各像素的场效应晶体管，控制流过各像素的有机EL元件的电流，由此进行图像显示。

场效应晶体管具有与向栅电极施加的电压相对应的源电极和漏电极间的电流放大作用，但是，当在漏电极的附近产生强电场时，产生下述那样的翘曲现象(kinkphenomenon)。即，在漏电极的附近产生强电场时，因该强电场，从源电极流向漏电极的电子被加速，加速后的电子与晶格的碰撞而产生载流子(碰撞电离现象)。通过该载流子，场效应晶体管不仅具有单纯的电流放大作用，还具有包含急剧的电流变化的电压电流特性(翘曲现象)。

在此，使用图7说明翘曲现象。例如，图7是表示场效应晶体管的电压电流特性的图，横轴表示栅电极的电压(Vd)，纵轴表示源极与漏极间的电流(Id)。如图7的部分700所示，在产生了翘曲现象的情况下，场效应晶体管具有Vd电压高于一定电压时Id急剧上升的电压电流特性。

并且，基于翘曲现象的场效应晶体管的特性变化根据像素的不同而存在很大偏差，所以，产生像素间的亮度不均、横线、纵线等显示不良。

于是，例如专利文献1公开了如下内容：在具有多栅极结构的TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)中，在2个沟道区域之间设置将n型离子低浓度地注入的低浓度杂质区域(以下称为LDD区域：Lightly Doped Drain)和高浓度杂质区域，通过缓和漏电极与源电极间的电场的变化，来抑制翘曲现象的产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-44439号公报

发明内容

如专利文献1那样，在LDD区域与高浓度杂质区域邻接的结构中，LDD区域与高浓度杂质区域的边界位置没有在每个像素中一致的情况下，翘曲现象的减轻效果因像素而不同，有可能残存显示不良。

另外，为了抑制LDD区域与高浓度杂质区域的边界位置的不均的产生，也考虑对相当于专利文献1的LDD区域的区域也高浓度地注入杂质的结构，但是这会导致晶体管的电阻增加，从而产生消耗电力的增加和亮度的下降。

本发明是鉴于上述技术问题而完成的，其目的在于提供一种不导致过度的亮度降低和消耗电力的增加就改善了每个像素的晶体管特性不均的有机EL显示装置和该有机EL显示装置的制造方法。

本发明的一个方面是一种有机EL显示装置，具有多个像素，在上述各像素中具有控制流过有机EL元件的电流的晶体管，其特征在于，上述晶体管包括：一方与上述有机EL元件电连接、另一方被从上述有机EL显示装置的外部供给电源的漏电极和源电极；形成在上述源电极和上述漏电极之间的第1栅电极；和形成在上述第1栅电极的下层侧的半导体膜，上述半导体膜的、上述第1栅电极与上述漏电极或上述源电极之间的区域的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子。