[发明专利]高动态范围图像传感器系统及方法在审
申请号: | 201710198468.X | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN108122934A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 芯视达系统公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355;H04N5/369 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 开曼群岛克里克特广场*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤色镜 像素 高动态范围图像 传感器系统 范围传感器 光电二极管 拜耳模式 传感器件 高动态 | ||
1.一种传感器件,其特征在于,包括:
一由滤色镜组成的拜耳模式阵列,每个滤色镜对应传感器件的一个像素,且每个滤色镜覆盖于若干光电二极管上。
2.根据权利要求1所述的传感器件,其特征是:
每个滤色镜覆盖于四个光电二极管上;且每个光电二极管对应所述像素的一个子像素,每个像素对应一个滤色镜。
3.根据权利要求2所述的传感器件,其特征是:进一步包括分别与所述四个光电二极管相对应的四个微透镜,其中:
四个光电二极管两两设置于所述滤色镜的下方,且四个微透镜以相同方式两两设置于所属滤色镜的上方、每个微透镜将入射光通过所述滤色镜导入至对应的光电二极管。
4.根据权利要求1所述的传感器件,其特征是:
每个光电二极管独立接收一积分时间信号,且一个滤色镜下的若干光电二极管中至少两个光电二极管采用不同的积分时间信号。
5.根据权利要求4所述的传感器件,其特征是:进一步包括与所述多个光电二极管相连的电路,其中:
每个光电二极管与至少一部分所述电路相连,该电路用于控制调整对应的积分时间。
6.根据权利要求4所述的传感器件,其特征是:所述积分时间用于相应的发光二极管采集由入射光子产生的电荷。
7.根据权利要求4所述的传感器件,其特征是:所述的若干光电二极管为四个光电二极管,每个都采用不同的积分时间。
8.根据权利要求4所述的传感器件,其特征是:每个光电二极管与一开关相连,所述积分时间的长度由该开关控制。
9.根据权利要求4所述的传感器件,其特征是:
具有不同积分时间的光电二极管的信号各自独立读出,且
具有相同积分时间的光电二极管的信号经组合并同时读出。
10.一种传感器件,其特征在于,包括:
一由滤色镜组成的拜耳模式阵列,每个滤色镜对应于传感器件的一个像素,每个像素都具有若干光电二极管。
11.根据权利要求10所述的传感器件,其特征是:每个像素包括四个光电二极管。
12.根据权利要求10所述的传感器件,其特征是:每个光电二极管都与一用于控制所述光电二极管的积分时间的晶体管相连。
13.根据权利要求12所述的传感器件,其特征是:进一步包括电荷检测节点,所述晶体管一端与所述光电二极管相连,另一端与电荷检测节点相连。
14.根据权利要求13所述的传感器件,其特征是:进一步包括源极跟随器晶体管,其栅极与所述电荷检测节点相连。
15.根据权利要求13所述的传感器件,其特征是:进一步包括一与所述源极跟随器晶体管相连的行选择晶体管,当打开所述行选择晶体管时,源极跟随器晶体管与一输出端相连。
16.根据权利要求10所述的传感器件,其特征是:每个像素包括四个光电二极管,且每个光电二极管都与一用于控制光电二极管的积分时间的晶体管相连。
17.根据权利要求16所述的传感器件,其特征是:一个像素中的每个光电二极管接收一积分时间信号,且四个光电二极管中至少两个光电二极管采用不同的积分时间信号。
18.根据权利要求16所述的传感器件,其特征是:一个像素中每个与所述光电二极管相连晶体管均与一控制线相连,以单独控制光电二极管的积分时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的