[发明专利]源-漏复合场板垂直型电力电子器件

权利要求书

1.一种源-漏复合场板垂直型电力电子器件，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，源极(9)之间的势垒层(7)上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(12)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：

所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级台阶结构，且第二阻挡层(42)位于第一阻挡层(41)的内侧；

所述钝化层(12)，其两侧均采用双阶梯结构，即在钝化层的两边的上部区域刻有整数个源阶梯，下部区域刻有整数个漏阶梯；

每个源阶梯上淀积有金属，形成对称的两个整体源场板(13)，该源场板(13)与源极(9)电气连接，形成阶梯源场板；

每个漏阶梯上淀积有金属，形成对称的两个整体漏场板(14)，该漏场板(14)与肖特基漏极(11)电气连接，形成阶梯漏场板。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于源场板(13)的阶梯级数，是根据钝化层源阶梯数m确定，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于漏场板(14)的阶梯级数，是根据钝化层漏阶梯数Q确定，Q根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm，宽度c为0.2～1μm，第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm，宽度d为1.4～3.4μm，且满足a>b。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于钝化层两边的各级源阶梯高度L_i相同，且第1源阶梯上表面距离第一阻挡层下边界的垂直距离H与各级源阶梯高度相等，各级源阶梯宽度S_i不同，且自上而下依次增大，i为整数且m≥i≥1；钝化层两边的各级漏阶梯高度W_j相同，宽度R_j不同，且自下而上依次增大，j为整数且Q≥j≥1，第1漏阶梯下表面距离衬底(1)下边界的垂直距离T等于W_j。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于源场板(13)距离漂移层(2)最近处的水平间距u满足关系：d<3.5a；漏场板(14)距离漂移层(2)最近处的水平间距k满足关系：R_j>k，其中：

a为第一阻挡层(41)的厚度，d为第二阻挡层(42)的宽度，R_j为钝化层中各级漏阶梯宽度。