[发明专利]一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法

权利要求书

1.一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)选取无病害、虫害的甘薯块，在室温下进行育苗处理；

(2)剪取生长健壮、长度为6～7cm的甘薯茎尖进行消毒处理，并除去茎尖上肉眼可见的叶片，留下约1～2cm的茎尖浸泡在无菌水中备用；

(3)在超净工作台中剥离步骤(2)中消毒后的茎尖，用消毒后的解剖刀通过显微镜剥离0.6～0.8mm的茎尖分生组织；

(4)将剥离的茎尖分生组织接种在pH＝6.2的MS固体培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500～2800lux，采用LED灯照射8～12h/d；

(5)茎尖分生组织在MS固体培养基上逐渐形成愈伤组织，继续培养15～18天后，将愈伤组织转移到MS基本培养基上，诱导育苗的形成并采用巴西牵牛嫁接法对育苗进行病毒检测，去除带有病毒的育苗；

(6)将不带病毒的育苗培养在MS基本培养基上，培养温度为25～28℃，光照强度为2500lux，采用LED灯照射8～10h/d，5～6周扩繁一次，即可实现甘薯茎尖剥离培育脱毒苗。

2.根据权利要求1所述的一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，所述步骤(2)的消毒处理方法为：先将甘薯茎尖用60～65％的乙醇浸泡60s，然后再用1～1.4％的次氯酸钠浸泡3min，最后用无菌水漂洗干净即可。

3.根据权利要求1所述的一种甘薯茎尖剥离培育脱毒苗的方法，其特征在于，所述步骤(5)和步骤(6)中的MS基本培养基的pH值为6.2。