[发明专利]一种单晶炉真空管道清理方法

说明书

技术领域

本发明涉及单晶生长技术领域，特别涉及一种单晶炉真空管道清理方法。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

现有的单晶炉主要包括主炉室、副室、晶体提拉机构、抽真空装置、充惰性气体装置等。在向单晶炉中装入物料后，需要对单晶炉进行抽真空，之后再充入惰性气体。抽真空通过抽真空装置进行，抽真空装置主要包括真空管道和真空泵，真空管道连接真空泵和单晶炉。在长晶过程中，产生的SiO_x会吸附在真空管道内壁上，长时间会堵塞真空管道，影响长晶。

综上所说，如何解决真空管道被SiO_x堵塞的问题，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种单晶炉真空管道清理方法，以对单晶炉的真空管道进行清理，防止堵塞，保证长晶正常进行。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种单晶炉真空管道清理方法，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，所述含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiO_x进行燃烧反应，得到粉末状物质，所述粉末状物质被抽吸排出所述真空管道外。

优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，所述粉末状物质通过真空泵抽吸排出所述真空管道外。

优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，在向所述真空管道内通入含氧气体时，根据SiO_x的含量调节通入所述含氧气体的流量。

优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，在向所述真空管道内通入含氧气体时，设定最大含氧气体通入流量限值。

优选地，在上述的单晶炉真空管道清理方法中，所述含氧气体为空气、氧气或含氧混合气体。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明提供的单晶炉真空管道清理方法中，在长晶加热时，向真空管道内通入含氧气体，含氧气体与所述真空管道内壁上附着的SiO_x进行燃烧反应，得到粉末状物质，粉末状物质被抽吸排出真空管道外，实现了真空管道的清理，防止了真空管道堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种单晶炉真空管道清理装置的结构示意图。

其中，1为单晶炉、2为真空管道、3为真空泵、4为供气管道、5为通断阀、6为节流阀、7为限流式垫片。

具体实施方式

本发明的核心是提供了一种单晶炉真空管道清理方法，能够对单晶炉的真空管道进行清理，防止堵塞，保证长晶正常进行。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图1，本发明实施例提供了一种单晶炉真空管道清理方法，在长晶加热时，向真空管道2内通入含氧气体，含氧气体与真空管道2内壁上附着的SiO_x进行燃烧反应，得到粉末状物质，粉末状物质被抽吸排出真空管道2外。

可以看出，利用单晶炉本身长晶过程中的加热过程产生的热量，对真空管道2内的SiO_x和外部通入的含氧气体进行加热，使SiO_x和含氧气体燃烧得到粉末状物质，最后通过真空管道2内的负压抽吸排出。因此，只需要向真空管道2内通入含氧气体即可完成SiO_x的清洁，清理操作方便，防止了真空管道2堵塞，利于长时间连续长晶工作，从而提高了生产效率。

作为优化，在本实施例中，粉末状物质通过真空泵3抽吸排出真空管道2外。真空泵3为单晶炉中原有的装置，用于单晶炉1的抽真空。

进一步地，在本实施例中，在向真空管道2内通入含氧气体时，根据SiO_x的含量调节通入含氧气体的流量，使SiO_x充分燃烧成粉末。具体可通过节流阀6来控制含氧气体的流量。