[发明专利]高电子迁移率晶体管和其制造方法

权利要求书

1.一种HEMT(100、500)，其包括多个第一单个单元(201)和至少一个第二单个单元(214、314、414)，其中，所述多个第一单个单元(201)分别构成至少一个单个晶体管，其中，所述第二单个单元(214、314、414)具有第一绝缘层(202、302、402)，所述第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端(205、305、405)的第一单个晶体管(204、304、404)和具有第二栅极连接端(207、307、407)的第二单个晶体管(206、306、406)，其中，所述第一单个晶体管(204、304、404)和所述第二单个晶体管(206、306、406)并联电连接并且具有源极连接端(108、208、308、408、508)和漏极连接端(109、209、309、409、509)，

其特征在于，

在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间在所述第二单个晶体管(206、306、406)的区域中布置有电位接触部(213、313、413)，所述电位接触部垂直于所述衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧伸展至所述第二单个晶体管(206、306、406)的所述二维电子气中，从而在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述第二栅极连接端(207、307、407)之间产生第一电阻(510)并且在所述第二栅极连接端(207、307、407)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间产生第二电阻(511)，其中，设有将所述电位接触部(213、313、413)和所述第二栅极连接端(207、307、407)电连接的装置。

2.根据权利要求1所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述装置为栅极场板。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二栅极连接端(207、307、407)的面积与所述电位接触部(213、313、413)的面积相等。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二栅极连接端(207、307、407)的面积大于所述电位接触部(213、313、413)的面积。

5.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述电位接触部(213、313、413)在所述第二单个晶体管(206、306、406)的区域中布置在所述漏极连接端(209、309、409)和所述第二栅极连接端(207、307、407)之间。

6.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述电位接触部(213、313、413)在所述第二单个晶体管(206、306、406)的区域中布置在所述源极连接端(208、308、408)和所述第二栅极连接端(207、307、407)之间。

7.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二单个晶体管(206、306、406)具有第二绝缘层(403)，所述第二绝缘层垂直于所述衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧延伸至所述第二单个晶体管(206、306、406)的所述二维电子气中。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二单个晶体管(206、306、406)的待机电流能够根据所述电位接触部(213、313、413)的高度来调节。