[发明专利]基板处理系统、基板传送装置和传送方法有效

专利信息
申请号: 201710193126.9 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN108666231B 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 雷仲礼 申请(专利权)人: 雷仲礼
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 美国加利福尼亚州米*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 系统 传送 装置 方法
【说明书】:

本申请实施例公开了一种基板传送装置,其包括:传送机械臂,所述传送机械臂上设置有基板传送叉,所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉,每条所述分叉的一端连接在所述主干上,另一端为自由端;每条所述分叉上设置有多个凹槽,每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置;每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。利用该基板传送装置可以在不使用基板承载盘的情况下对基板进行传送。如此,能够克服利用基板承载盘的一系列缺陷。基于该基板传送装置,本申请还提供了一种基板处理系统以及基板传送方法。

技术领域

本申请涉及基板加工技术领域,尤其涉及一种基板传送装置和传送方法,以及包含该基板传送装置的基板处理系统。

背景技术

目前,利用现有的基板传送装置对基板进行传送时以及利用现有的基板处理系统对基板进行处理例如向基板上淀积薄膜时,需要使用基板承载盘来承载基板。

使用基板承载盘承载基板的方式存在以下缺陷:

第一、在基板处理例如向基板上沉积薄膜过程中,同时也会在基板承载盘上形成沉积,为了防止该形成在基板承载盘上的沉积脱落在基板表面上导致在基板上形成缺陷,需要在基板承载盘上的沉积积累到一定厚度例如0.5至1微米后,清洗基板承载盘。

第二、为了减少工艺反应室内的工艺反应时间以及提高整个系统的生产率,在将基板承载盘传送至工艺反应室之前,需要在装卸室(load lock chamber)内对基板承载盘进行预热,使其接近基板处理温度。

第三、为了减少淀积薄膜龟裂的可能性,在对基板加工处理完后,基板承载盘暴露在空气之前,需要对基板承载盘进行冷却。

此外,对于正、背面均需要处理的基板例如异质结电池来说,需要在基板的正面和背面上均沉积上薄膜,为了避免交叉污染,应用于基板正面淀积和背面淀积工艺过程的基板承载盘需要分开,如此,对于正背面均需要淀积薄膜的基板来说,在完成一面薄膜淀积后,需要将基板从一个基板承载盘转移到另一个基板承载盘。

发明内容

为了避免在基板传送和基板处理过程中使用基板承载盘,本申请提供了一种基板传送装置和方法。

基于本申请提供的基板传送装置,本申请还提供了一种包含该基板传送装置的基板处理系统。

为了解决上述技术问题,本发明采用了如下技术方案:

一种基板传送装置,所述基板包括多列呈列排布的晶片,每列晶片包括多片晶片,所述基板传送装置包括:

传送机械臂,所述传送机械臂上设置有基板传送叉,所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉,每条所述分叉的一端连接在所述主干上,另一端为自由端;

每条所述分叉上设置有多个凹槽,每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置;

每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。

可选地,所述凹槽的侧壁为斜坡。

一种基板处理系统,所述基板包括多列呈列排布的晶片,每列晶片包括多片晶片,所述基板处理系统包括:用于装载基板的装载室、用于传送基板的传送室、用于对基板进行工艺反应处理的工艺反应室以及用于拆卸基板的拆卸室;

所述传送室分别与所述装载室、所述工艺反应室和所述拆卸室之间连通且设置有隔离阀;

所述传送室内设置有至少一套如权利要求1或2所述的基板传送装置;

所述装载室和所述拆卸室内均分别设置有用于承载基板的各个晶片的晶片承载柱;

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