[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的形成方法，其特征在于，包含：

在一半导体基底内形成一浅沟槽隔离，以定义出多个主动区；

在该半导体基底内形成多个沟槽，该些沟槽贯穿该浅沟槽隔离与该些主动区，且各沟槽在各该主动区内具有一圆弧底面，其中，该沟槽的形式是先进行该浅沟槽隔离的移除制程，使该浅沟槽隔离相对于该主动区的蚀刻选择比为10或10以上，形成该些沟槽位于该浅沟槽隔离内的部分，并且圆角化邻接该部分的该主动区的角落形成该圆弧底面，该圆弧底面高于这些沟槽位于该浅沟槽隔离内的该部分，再进行该主动区的移除制程，形成该些沟槽位于该主动区内的部分；以及

进行一蚀刻制作工艺，移除该圆弧底面，以在该些主动区内形成一平坦底面以及向上突起的一鞍部，该平坦底面与这些沟槽位于该浅沟槽隔离内的底面齐平。

2.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该蚀刻制作工艺前，氧化该圆弧底面。

3.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该蚀刻制作工艺包含一软蚀刻制作工艺。

4.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该些沟槽内分别形成多个栅极结构；以及

在该半导体基底上形成多个位线，该些位线横跨该些主动区与该些栅极结构。

5.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该鞍部在垂直于该基底的一投影方向上的长度小于该主动区在该投影方向上的长度。

6.依据权利要求1所述的半导体存储装置的形成方法，其特征在于，该鞍部的曲率大于该圆弧底面的曲率。