[发明专利]晶圆级照相模块有效
申请号: | 201710191864.X | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN106993120B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H01L27/146 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 照相 模块 | ||
1.一种晶圆级照相模块,包括:
图像传感器,包括形成在其顶表面上的成像区域;
第一支撑层,设置在图像传感器上并具有用于暴露成像区域的第一开口;
第一变焦单元,包括第一压电薄膜、第一可变形层和第一透镜,第一压电薄膜设置在第一支撑层上并具有用于暴露成像区域的第二开口,第一可变形层设置在第一压电薄膜上以覆盖第二开口,第一透镜对应于成像区域附着到第一可变形层;
第二支撑层,设置在第一可变形层上并具有用于暴露成像区域的第三开口;
第二变焦单元,包括第二压电薄膜、第二可变形层和第二透镜,第二压电薄膜设置在第二支撑层上并具有用于暴露成像区域的第四开口,第二可变形层设置在第二压电薄膜上以覆盖第四开口,第二透镜对应于成像区域附着到第二可变形层;
第一导电通路,贯穿图像传感器的未形成有成像区域的至少一部分和第一支撑层以电连接到第一压电薄膜;以及
第二导电通路,贯穿图像传感器的未形成有成像区域的至少一部分、第一支撑层、第一压电薄膜、第一可变形层和第二支撑层以电连接到第二压电薄膜,
其中,当通过第一导电通路将驱动电压施加到第一压电薄膜时,第一压电薄膜变形,使得第一可变形层变形并且第一透镜运动,
其中,当通过第二导电通路将驱动电压施加到第二压电薄膜时,第二压电薄膜变形,使得第二可变形层变形并且第二透镜运动。
2.根据权利要求1所述的晶圆级照相模块,其中,图像传感器还包括设置在图像传感器的底表面上以将从光转换而来的电信号传输到外部装置的第一外部连接端子。
3.根据权利要求1所述的晶圆级照相模块,其中,第一压电薄膜包括第一压电材料层以及分别设置在第一压电材料层的相反的表面上的第一电极层和第二电极层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级照相模块,其中,第二压电薄膜包括第二压电材料层以及分别设置在第二压电材料层的相反的表面上的第三电极层和第四电极层。
5.根据权利要求3所述的晶圆级照相模块,其中,第一导电通路包括电连接到第一电极层的第一导电子通路和电连接到第二电极层的第二导电子通路,
图像传感器还包括设置在图像传感器的底表面上并分别电连接到第一导电子通路和第二导电子通路的第二外部连接端子和第三外部连接端子。
6.根据权利要求4所述的晶圆级照相模块,其中,第二导电通路包括电连接到第三电极层的第三导电子通路和电连接到第四电极层的第四导电子通路,
图像传感器还包括设置在图像传感器的底表面上并分别电连接到第三导电子通路和第四导电子通路的第四外部连接端子和第五外部连接端子。
7.根据权利要求1所述的晶圆级照相模块,所述晶圆级照相模块还包括:
第三支撑层,设置在第二可变形层上并具有用于暴露成像区域的第五开口;以及
保护层,设置在第三支撑层上以覆盖第五开口。
8.根据权利要求7所述的晶圆级照相模块,所述晶圆级照相模块还包括设置在保护层的至少边缘部分上的遮光层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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