[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属导电层和第一光刻胶层；

使用第一掩膜版使所述第一透明导电层和所述第一金属导电层形成栅极、像素电极和第三金属电极形成的结构，所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极，所述像素电极包括第三透明电极；

在所述第一金属电极和所述第三金属电极上依次沉积第一绝缘层、本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二金属导电层和第二光刻胶层；

使用第二掩膜版形成栅绝缘层、半导体层、源极和漏极以及像素电极，包括：

刻蚀所述第二金属导电层，刻蚀所述第一绝缘层，使所述第一绝缘层形成栅绝缘层，使所述本征非晶硅层和所述掺杂非晶硅层形成半导体层，使所述第二金属导电层形成源极和漏极；

刻蚀所述第三金属电极，以露出所述第三透明电极，形成像素电极；

所述栅绝缘层覆盖所述栅极的所述第一透明电极和所述第一金属电极形成的第一侧面，所述第一侧面为所述第一透明电极和所述第一金属电极与平行于所述衬底基板的平面相交的面；

在所述源极、所述漏极和所述像素电极上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层；

使用第三掩膜版使所述第二绝缘层形成钝化层，所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述像素电极以及至少部分所述半导体层，所述钝化层覆盖所述源极、所述半导体层和所述栅绝缘层形成的第二侧面，且所述钝化层覆盖所述漏极、所述半导体层和所述栅绝缘层形成的第三侧面，所述第二侧面为所述源极、所述半导体层和所述栅绝缘层与平行于所述衬底基板的平面相交的面，所述第三侧面为所述漏极、所述半导体层和所述栅绝缘层与平行于所述衬底基板的平面相交的面；第一接触孔位于所述漏极远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层暴露所述第一接触孔；

在所述钝化层上依次沉积第二透明导电层和第四光刻胶层；以及

使用第四掩膜版使所述第二透明导电层形成公共电极和连接电极，所述公共电极和所述像素电极在彼此交叠的区域与所述栅绝缘层不相交叠，所述连接电极与所述漏极和所述像素电极电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用第一掩膜版使所述第一透明导电层和所述第一金属导电层形成栅极、像素电极和第三金属电极形成的结构的步骤包括：

使用所述第一掩膜版通过光刻工艺使所述第一光刻胶层形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖所述第一金属导电层在待形成所述栅极的区域和待形成所述像素电极和第三金属电极形成的结构的区域的部分；

通过刻蚀工艺去除所述第一金属导电层和所述第一透明导电层中没有被所述第一光刻胶图案覆盖的区域；以及

去除所述第一光刻胶图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使用所述第一掩膜版在形成所述栅极、所述像素电极和所述第三金属电极形成的结构的同时，还形成公共电极线；

所述公共电极与所述公共电极线电连接，所述第一光刻胶图案还覆盖所述第一金属导电层中待形成所述公共电极线的区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用第二掩膜版使所述第一绝缘层形成栅绝缘层，使所述本征非晶硅层和所述掺杂非晶硅层形成半导体层，使所述第二金属导电层形成源极和漏极的步骤包括：

使用所述第二掩膜版通过光刻工艺使所述第二光刻胶层形成具有第三厚度的第三光刻胶图案和具有第四厚度的第四光刻胶图案，所述第三光刻胶图案覆盖所述第二金属导电层中待形成所述源极和所述漏极的区域，所述第四光刻胶图案覆盖所述第二金属导电层在待形成沟道区的区域的部分，所述第三厚度大于所述第四厚度；

通过刻蚀工艺去除所述第二金属导电层、所述掺杂非晶硅层和所述本征非晶硅层中没有被所述第三光刻胶图案和所述第四光刻胶图案覆盖的区域；

通过灰化工艺使所述第三光刻胶图案变薄并去除所述第四光刻胶图案；

通过刻蚀工艺去除所述第二金属导电层、所述掺杂非晶硅层、所述第一绝缘层和所述第一金属导电层中没有被灰化后的第三光刻胶图案覆盖的区域；以及

去除所述灰化后的第三光刻胶图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一透明导电层由透明金属氧化物半导体掺杂离子而形成。