[发明专利]一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺

说明书

本发明公开了一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺，包括以下步骤：1）在晶圆背面涂覆稀释剂，润湿晶圆背面；2）在晶圆背面仍残留有稀释剂时，采用动态喷涂的喷头对晶圆背面进行首次喷涂光阻剂；3）采用动态喷涂的喷头对晶圆背面进行第二次喷涂光阻剂，直至完成预定的喷涂次数。本发明利用稀释剂除去晶圆涂布表面的脏污、颗粒和降低光阻剂的粘度，并采用动态喷涂的喷头进行光阻剂的涂布，改善光阻剂喷涂的均匀性，因此，本发明大大降低了晶圆背面涂布工艺中气泡的产生数量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺。

背景技术

在晶圆的诸多加工工艺中，晶圆背面的涂布工艺是不可或缺的一道工艺，而在这道工艺中又容易产生光阻气泡，大体上产生光阻气泡的原因如下：晶圆涂布表面存在脏污、颗粒等，造成涂布后产生光阻气泡；光阻剂粘度大，喷涂时容易在晶圆的涂布表面产生气泡；在晶圆背面涂布光阻剂的喷涂为静态喷涂，即单点喷涂，容易造成单点堆积和产生气泡。一旦在晶圆背面的涂布工艺中产生气泡，且该气泡的数量较多时，会产生以下问题：在晶圆背面的开洞工艺中，气泡的存在可能使该气泡在蚀刻后出现穿洞现象，造成部分芯片报废，甚至影响后续工艺的进行；在晶圆背面切割道工艺中，气泡若与切割道相连会造成切割道蚀刻形状异常，导致切割时出现问题；若在孔洞中出现气泡则可能造成金被误蚀刻。因此，晶圆背面涂布工艺中的光阻气泡问题是黄光工艺中急需解决的一个难题。

发明内容

本发明提供了一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺，其克服了现有技术的晶圆背面涂布工艺所存在的不足之处。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺，包括以下步骤：

1）在晶圆背面涂覆稀释剂，润湿晶圆背面；

2）在晶圆背面仍残留有稀释剂时，采用动态喷涂的喷头对晶圆背面进行首次喷涂光阻剂；

3）采用动态喷涂的喷头对晶圆背面进行二次喷涂光阻剂，直至完成预定的喷涂次数。

进一步的，在喷涂光阻剂的过程中，所述喷头在晶圆中心与晶圆边缘之间来回移动，所述晶圆绕其中轴线旋转。

进一步的，所述喷头的流量为0.3～0.7cc/s，所述喷头的移动速度为125～135mm/s。

进一步的，所述晶圆的转速为200～400 rpm。

进一步的，在每次喷涂光阻剂的过程中，所述喷头在晶圆中心与晶圆边缘之间移动若干次，且所述晶圆的转速按喷头移动次数的先后顺序逐渐增加

进一步的，所述光阻剂每次的喷涂厚度为7～9um。

进一步的，所述稀释剂采用动态旋涂的喷头涂覆在晶圆背面，且该喷头的流量为0.8～1.2cc/s。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

1、由于本发明在晶圆背面先涂覆稀释剂，除去晶圆涂布光阻前表面的脏污、颗粒，且在稀释剂还残留在晶圆背面时，采用动态喷涂的喷头对晶圆背面喷涂光阻剂，从中利用稀释剂降低光阻剂的粘度和改善光阻剂喷涂的均匀性，使得本发明从中大大降低了气泡的产生数量，且实验数据表明，改善后，晶圆上的光阻气泡占整片晶圆（光阻涂布不良）的5%左右，与改善前约为80%的占比相比，降低了75%。

2、作为一种优选，在光阻涂布过程中，所述喷头在晶圆中心与晶圆边缘之间来回移动实现喷涂，所述晶圆绕其中轴线旋转，从中进一步改善光阻剂喷涂的均匀性，进一步降低光阻气泡产生量。

以下结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明；但本发明的一种可降低光阻气泡数量的晶圆背面涂布工艺不局限于实施例。

附图说明