[发明专利]SmCo5基永磁薄带磁体及其制备方法

权利要求书

1.SmCo₅基永磁薄带磁体，其特征在于：是元素组成通式为Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f的SmCo₅型永磁薄带，在该组成通式中，符号x、y、z、u、v、w、e和f表示限定元素组成范围的原子百分数，14.66≤x≤15.66，67.72≤y≤78.90，0.01≤z≤7.82，3.20≤u≤6.40，1.66≤v≤3.52，0.01≤w≤0.12，0.01≤e≤0.11，0.01≤f≤0.25，并以原子百分比计满足：x+y+z+u+v+w+e+f+g＝100，该薄带磁体的厚度为45μm～87μm，在外加磁场为20kOe或外加磁场为90kOe下测得的磁性能为：在室温下其内禀矫顽力为12.1～31.9kOe，剩磁为33.7～51.5emu/g。

2.如权利要求1所述SmCo₅基永磁薄带磁体的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

第一步，原料配制：

按照原子百分数含量计算出元素组成通式Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f中的组成元素的质量百分比，按该质量百分比称取所需量的组分原料：纯Sm、纯Co、纯Cu、纯Fe、纯Cr、纯Si、纯Ti和纯Mo，由此完成原料配制，在上述组成通式中，符号x、y、z、u、v、w、e和f表示限定元素组成范围的原子百分数，14.66≤x≤15.66，67.72≤y≤78.90，0.01≤z≤7.82，3.20≤u≤6.40，1.66≤v≤3.52，0.01≤w≤0.12，0.01≤e≤0.11，0.01≤f≤0.25，并以原子百分比计满足：x+y+z+u+v+w+e+f+g＝100；

第二步，熔化原料制备母合金铸锭：

将第一步配制好的原料同时放入真空电弧熔炼炉或真空感应熔炼炉坩埚中，熔炼时先对炉体抽真空度到10^-2Pa～10^-3Pa，炉温升至高于原料金属Co的熔点，直至全部原料都熔化，熔炼均匀并使全部原料形成均匀分布，制得Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f母合金铸锭；

第三步，SmCo₅基快淬薄带的制备：

将第二步制得的Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f母合金铸锭装入熔体快淬炉中，重新熔融后在以10～50m/s的圆周速度旋转的冷却铜辊轮或钼辊轮上进行熔体快淬，由此制得SmCo₅基快淬薄带；

第四步，SmCo₅基永磁薄带磁体产品的制备：

将第三步制备的快淬薄带装入真空退火炉中，在550℃～650℃进行退火处理，保温时间为10min～60min，由此制得SmCo₅基永磁薄带磁体产品，该SmCo₅基永磁薄带磁体产品的元素组成式为Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f，厚度为45μm～87μm，在外加磁场为20kOe或外加磁场为90kOe下测得的磁性能为：在室温下其内禀矫顽力为12.1～31.9kOe，剩磁为33.7～51.5emu/g。

3.根据权利要求2所述SmCo₅基永磁薄带磁体的制备方法，其特征在于：在所述第一步原料配制中，按照原子百分比含量计算出Sm_xCo_yCu_zFe_uCr_vSi_wTi_eMo_f的组成元素的质量百分比，按质量百分比称取所需量的组分原料纯Sm、纯Co、纯Cu、纯Fe、纯Cr、纯Si、纯Ti和纯Mo的基础上，再额外添加所称取纯Sm量的质量百分比5％的纯Sm，并由此完成原料配制。