[发明专利]一种锌掺杂三氧化钨的制备方法有效
申请号: | 201710189554.4 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN107126951B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 郝仕油;邓黄秀;王辉;费楠楠 | 申请(专利权)人: | 浙江师范大学 |
主分类号: | B01J23/30 | 分类号: | B01J23/30;C02F1/32;C01G41/02;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/38 |
代理公司: | 杭州知瑞知识产权代理有限公司 33271 | 代理人: | 陈宜芳 |
地址: | 321000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化钨 制备 方法 | ||
本发明涉及一种锌掺杂三氧化钨的制备方法:首先,利用水浴加热和搅拌方式使三嵌段聚合物P123和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)混合物溶解在去离子水中,加HCl溶液酸化,陈化一定时间后,逐滴滴加Na2WO4溶液至P123和PVP混合溶液中,边加边搅拌,形成黄色钨酸沉淀;然后再取一定量锌盐、去离子水和PVP混合,搅拌溶解,滴加碱液,使锌离子全部沉淀,获得白色氢氧化锌沉淀;最后把氢氧化锌与钨酸充分混合,再在一定温度马弗炉中煅烧,获得锌掺杂三氧化钨产物。
技术领域
本发明属于复合氧化物制备技术领域,特别涉及一种锌掺杂三氧化钨的制备方法。
背景技术
近年,由于光催化技术在制氢及降解有机物方面发挥重要作用,因而备受研究者青睐。大量研究表明,半导体材料(光催化剂)是影响光催化效率的重要因素;最佳半导体应具备以下性能:(1) 纳米尺寸效应,可提供更大的表面积与体积比值,提高吸附容量和反应场所数量;(2) 较低的禁带宽度,利于可见光吸收;(3) 最佳禁带结构,便于氧化-还原反应进行;(4) 材料稳定性,提高重复使用效率。
由于三氧化钨具有稳定性高、无光催化腐蚀、高效电子传递等性能,因而在光催化领域可发挥较大作用。然而,纯三氧化钨的禁带宽度在2.8-3.0 eV之间(Cole B, MarsenB, Miller E, et al.
在现有中国专利文献中,公开三氧化钨掺杂方法的相关专利如下:
CN106315679A “一种制备纳米氧化锆掺杂氧化钨的方法”中,公开了一种以偏钨酸铵、硝酸锆和尿素为原料,通过水热法制备纳米氧化锆掺杂氧化钨的方法;
CN106311266A “一种微量铁掺杂的三氧化钨纳米纤维光催化剂的制备方法”中,公开了一种以偏钨酸铵、相关铁盐为原料,通过静电纺丝技术和浸渍法相结合,制备微量铁掺杂的三氧化钨纳米纤维光催化剂的方法;
CN105712405A “一种钼掺杂氧化钨气敏材料的制备方法”中,公开了一种以氯化钨、钼酸铵为原料,通过水热合成、真空煅烧、研磨过筛,制备钼掺杂氧化钨气敏材料的方法;
CN105789352A“一种三氧化钨/二氧化钛纳米异质结薄膜及其制备和应用”中,公开了一种以WO3薄膜、氟钛酸铵和硼酸为原料,通过浸渍法制备了三氧化钨/二氧化钛纳米异质结薄膜的方法;
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