[发明专利]一种基于故障诊断的MOSFET并联均流电路

说明书

一种基于故障诊断的MOSFET并联均流电路，包括主控单元和至少两路MOSFET并联支路，主控单元与每路MOSFET并联支路之间通过故障检测单元进行连接；每路MOSFET并联支路分别完成各支路的信号采集，主控单元根据采集的信号判断支路工作是否正常，分别为每个支路发送对应的驱动信号；故障检测单元根据接收的该路电流信号进行过流判断，根据过流判断结果、接收的驱动欠压信号以及驱动信号完整性检测信号确定最终输出的驱动信号；本发明中每个MOSFET并联支路有独立的驱动信号，独立的故障检测单元，可以检测支路电流、温度、门极驱动是否欠压和驱动信号是否完整。本发明在实现了并联支路均流的同时，还实现了对并联支路的故障检测，保证多个支路并联工作时可靠性更高。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种包含故障检测单元的并联均流电路。

背景技术

并联均流电路主要应用于电机驱动器。目前的电机驱动器主要采用IGBT或者MOSFET作主要功率器件，MOSFET较IGBT有价格比较低廉、体积较小等优点，尤其在等功率低电压体系下，MOSFET较IGBT更容易通过并联方式实现低电压大电流的功率驱动方式。

多只MOSFET并联满足了大电流功率驱动的同时，并联支路的均流也尤为重要。现有的并联均流电路大部分是被动均流方式，即并联每个回路的驱动信号为共用，依据功率器件的自身调节特性和相应的电路达到均流效果，但由于功率器件自身参数及电路参数的差异性，会导致器件并联应用时出现电流分配不均的问题。并且当并联支路出现故障时，无法进行判断并及时隔离，严重时，会使有关的并联功率器件过载而损坏。

发明内容

本发明的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提供了一种基于故障诊断的MOSFET并联均流电路。

本发明的技术解决方案是：一种基于故障诊断的MOSFET并联均流电路，包括主控单元和至少两路MOSFET并联支路，主控单元与每路MOSFET并联支路之间通过故障检测单元进行连接；

每路MOSFET并联支路中包括故障采集单元和包含MOSFET的驱动单元；每路MOSFET并联支路中的故障采集单元采集MOSFET工作时的温度以及MOSFET开通时通过的电流，将采集的上述信号以及驱动单元的驱动欠压信号发送至主控单元；将采集的上述除温度信号外的所有信号以及驱动单元的驱动欠压信号发送至故障检测单元；

主控单元采集每路故障检测单元发送的驱动信号完整性检测信号以及MOSFET并联支路发送的信号，并根据采集的信号判断每路MOSFET并联支路工作状态是否正常；根据判断结果，发送隔离驱动信号至对应不正常支路的故障检测单元，分别给所有正常MOSFET并联支路产生一致的驱动信号，结合采集的正常MOSFET并联支路的电流信号，分别对正常MOSFET并联支路的驱动信号电平宽度进行调整补偿，得到每路正常MOSFET并联支路的调节驱动信号并发送至对应的故障检测单元；

每路MOSFET并联支路对应的故障检测单元根据接收的该路电流信号进行过流判断，根据过流判断结果、接收的驱动欠压信号以及驱动信号完整性检测信号确定最终输出的驱动信号；所述的驱动信号完整性检测信号为根据主控单元发送的隔离驱动信号或者产生的一致的驱动信号与当前能够采集到的最终输出的驱动信号进行一致性判断后产生的信号，驱动信号完整性检测信号的初始值为高电平；

包含MOSFET的驱动单元根据接收的最终的驱动信号进行工作。

进一步的，所述的主控单元对正常MOSFET并联支路的驱动信号电平宽度进行调整补偿的步骤如下：