[发明专利]一种非平面基底材料的真空镀膜方法

权利要求书

1.一种非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，使用流速为1m/s～50m/s、口部直径为2mm～10mm的加压水枪对非平面基底材料的表面进行清洗2次～3次，每次清洗15min～30min，清洗洁净后采用金属喷枪对非平面基底材料的表面进行涂布操作，得到涂布后的非平面基底材料；

步骤S2，将步骤S1得到的涂布后的非平面基底材料移至真空镀膜机中，将靶材固定为圆心，使涂布后的非平面基底材料环绕靶材做平面圆周公转运动，同时以涂布后的非平面基底材料对称中心为轴心使涂布后的非平面基底材料自转运动；

步骤S3，将真空镀膜机抽取真空度至5×10^-5Pa～8×10^-5Pa，调节温度为20℃～30℃，依次启动高压直流电源和环形磁场，使产生的高能电子轰击靶材，形成溅射原子，进行磁控溅射，均匀的沉积在涂布后的非平面基底材料表面形成镀膜。

2.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S1中，所述非平面基底材料的外观形状为：圆柱形、球形、具有对称中心的旋转体中的任一种。

3.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S1中，所述涂布操作时涂布的金属为：纯金或者纯银，平均涂布厚度为5nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S1中，所述涂布后的非平面基底材料的表面平整度不大于0.2μm。

5.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S2中，所述公转运动的周期为：100s～120s。

6.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S2中，所述自转运动的周期为：20s～40s。

7.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述高压直流电场的电场强度为：1.0×10⁵伏特/米～1.8×10⁵伏特/米。

8.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述环形磁场的磁感应强度为：1×10^-3特斯拉～20×10^-3特斯拉。

9.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述磁控溅射的功率密度为：0.5W/cm²～30W/cm²。

10.根据权利要求1所述的非平面基底材料的真空镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述镀膜的平均厚度为：20nm～100nm。