[发明专利]n型晶体硅太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料的功函数小于n型晶体硅的功函数，在n型晶体硅与低功函材料的界面处可实现能带弯曲，形成“n-n⁺”高低结，进而实现背场作用；n型晶体硅背面的低功函材料为镁、锂、钕、钙、镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金；n型晶体硅背面的低功函材料的成型方式为薄膜或电子浆料。

2.根据权利要求1所述的n型晶体硅太阳电池，其特征是，当n型晶体硅背面的低功函材料为薄膜时，其厚度为1nm~300nm；当n型晶体硅背面的低功函材料为电子浆料时，其厚度为20μm~30μm。

3.根据权利要求1所述的n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池为n型有机无机杂化晶体硅太阳电池、n型单晶硅太阳电池或n型异质结晶体硅太阳电池。

4.根据权利要求1所述的n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅背面的低功函材料是通过磁控溅射法、蒸发法、等离子增强化学气相沉积法或丝网印刷法来制成。

5.根据权利要求1所述的n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池所用硅片为单面抛光硅片、双面抛光硅片或双面制绒硅片。

6.根据权利要求1所述的n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池所用硅片为单晶硅片或多晶硅片。

7.一种n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，在n型晶体硅的背面制备低功函材料，低功函材料与n型晶体硅共同构成n型晶体硅太阳电池的背场；低功函材料的功函数小于n型晶体硅的功函数，在n型晶体硅与低功函材料的界面处可实现能带弯曲，形成“n-n⁺”高低结，进而实现背场作用；低功函材料为镁、锂、钕、钙、镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金。

8.根据权利要求7所述的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，n型晶体硅背面的低功函材料是通过磁控溅射法、蒸发法或等离子增强化学气相沉积法而形成的薄膜结构，或是通过 丝网印刷法而形成的电子浆料结构。

9.根据权利要求8所述的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，当低功函材料为薄膜结构时，其厚度为1nm~300nm；当低功函材料为电子浆料结构时，其厚度为20μm~30μm。

10.根据权利要求7所述的n型晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池为n型有机无机杂化晶体硅太阳电池、n型单晶硅太阳电池或n型异质结晶体硅太阳电池。