[发明专利]一种电流测量方法及传感器系统

权利要求书

1.一种电流测量方法，其特征在于，导体通入待测电流I_T为下层，带有四个磁传感器的硅片件放置于导体上方为上层,导体前方开设有两个对称的U型槽，第一磁传感器放置于一个所述U型槽开口内垂直映射到上层的位置，第二磁传感器放置于另一个所述U形凹槽开口内垂直映射到上层的位置，第三磁传感器和第四磁传感器放置于第一磁传感器与第二磁传感器之间且位于导体上方垂直映射到上层的位置，设B为待处理磁通量，B_T为待处理磁通量B中待测电流I_T通过导体产生部分，B_N为待处理磁通量B中外部干扰源I_N产生部分，经过算法计算得出待处理磁通量B的同时衰减外部干扰源所产生的磁场导致的干扰信号，根据待处理磁通量B求出待测电流I_T的大小；计算待处理磁通量B的推导公式如下：待测电流I_T对四个磁传感器的磁通量分别用B_Ta、B_Tb、B_Tc、B_Td表示，干扰源对磁传感器的磁通量用B_Na、B_Nb、B_Nc、B_Nd表示，四个磁传感器的总磁通量分别用B_a、B_b、B_c、B_d表示，则

B＝B_a+B_b-(B_c+B_d)

＝(B_Ta+B_Na)+(B_Tb+B_Nb)–(B_Tc+B_Nc)–(B_Td+B_Nd)

≈B_Ta+B_Na+B_Nb-B_Nc-B_Nd(B_Tc、B_Td远小于其他分量)

＝B_Ta+B_Tb+(B_Na+B_Nb-B_Nc-B_Nd)

＝B_T+B_N。

2.一种电流测量的传感器系统，其特征在于，其包括处于下层的带U形凹槽的导体和处于上层的带有四个磁传感器的硅片，导体前方有两个对称U型槽第一磁传感器放置于一个所述U型槽开口内垂直映射到上层的位置，第二磁传感器放置于另一个所述U形凹槽开口内垂直映射到上层的位置，第三磁传感器和第四磁传感器放置于第一磁传感器与第二磁传感器之间且位于导体上方垂直映射到上层的位置。