[发明专利]一种超低正向电压整流器芯片的制备方法

权利要求书

1.一种超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、原硅片清洗：依次通过氢氟酸溶液、哈摩液、热纯水超声清洗工序对硅片进行清洗，然后烘干，完成原硅片清洗；

步骤S2、排纸源：取底部中空型板舟作为承载工具，将浓度不低于90％的磷纸源、硅片以及氧化铝纸按序排布于所述承载工具内，并保证每一硅片的其中一面与所述磷纸源贴合而另一面与所述氧化铝纸贴合，完成排纸源；

步骤S3、预沉积：将承载工具送入扩散炉中进行磷源分解，然后调整扩散炉温度，使其进行预沉积，在磷源分解和预沉积过程中，向扩散炉中通入氮气和氧气的第一混合气体；

步骤S4、磷分片：将硅片放入温度不低于15℃的氢氟酸溶液中浸泡，浸泡时间为15-24h，使得硅片自然分开；

步骤S5、第一次喷砂：对硅片未进行磷源预沉积的一面进行喷砂，使用喷砂机对硅片进行研磨，去除量为25-35μm；

步骤S6、磷源再推进：将硅片的附磷面两两相对，整齐的放入石英舟内并推入扩散炉中进行磷源再推进，同时向扩散炉中通入氮气和氧气的第二混合气体；

步骤S7、去氧化层：对硅片的附磷面进行喷砂以去除硅片表面的氧化层，去除量为3-5μm；

步骤S8、涂硼：将硅片放置涂硼匀胶机旋转台上进行涂硼，再将硅片置于加热板的滤纸上烤干，按摆放时的先后顺序取下硅片置于不锈钢盘的滤纸上，将硅片涂硼面与涂硼面两两相对叠放，在硅片的附磷面撒有铝粉，最后将硅片放置在石英舟上；

步骤S9、硼扩散：将硅片送入扩散炉中进行硼扩散，同时向扩散炉中通入氮气和氧气的第三混合气体；

步骤S10、硼分片：将硅片放入不低于15℃的氢氟酸中浸泡，时间10-18h，使得硅片自然分开；

步骤S11、第二次喷砂：使用喷砂机对硅片两面进行喷砂；

步骤S12、氧化：将硅片送入扩散炉中进行氧化，同时向扩散炉中通入热纯水的水蒸气；

步骤S13、匀胶、曝光：对硅片两面涂布光刻胶，进行曝光，使硅片表面形成所需要的图形；

步骤S14、沟槽腐蚀：使用混合酸对硅片进行化学腐蚀，腐蚀时间为600-900s；

步骤S15、玻璃钝化：将硅片去胶后，送入玻璃液中进行电泳，完成硅片的玻璃钝化；

步骤S16、镀镍层：对硅片两面均匀的镀上一层镍合金层，最终完成所述超低正向电压整流器芯片。

2.根据权利要求1所述的超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，氢氟酸溶液是将氢氟酸和水按体积配比1:8-9配制而成，所述硅片在氢氟酸溶液中的浸泡时间为1-2min，所述氢氟酸溶液的温度为25-35℃；

哈摩液是将哈摩粉和水按质量配比1：90-100配制而成；

热纯水的温度为75-85℃，超声清洗的时间为10-20min。

3.根据权利要求1所述的超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，磷源分解所需的温度为550-600℃，时间为1-2h，预沉积所需的温度为1200-1300℃，时间为4-8h；

所述第一混合气体中氮气和氧气的体积比为10-12:1-2。

4.根据权利要求1所述的超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，磷源再推进所需的温度为1250-1300℃，时间为15-25h；

所述第二混合气体中氮气和氧气的体积比为8-12：1-2。

5.根据权利要求1所述的超低正向电压整流器芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中，涂硼所需的涂硼液按照如下步骤制备：

将氧化硼与乙二醇甲醚按照每1g氧化硼与4-5mL乙二醇甲醚的配比进行混合；

将上述混合液搅拌4-8h，然后沉淀4-8h后，将该混合液进行过滤，过滤获得的滤液即为硼水；

向每100mL硼水中添加18-20mL硝酸铝溶液和1-2g氧化铝粉，搅拌至少10min，获得所述的涂硼液。