[发明专利]P型晶体硅双面电池结构及其制作方法

权利要求书

1.一种P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面负极细栅线、正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2)、N型掺杂层(3)、P型晶硅基体(4)、第一背面钝化膜(5)、第二背面钝化膜(6)和背面正极细栅线(7)；电池正面排布的正面负极细栅线收集电子，并通过穿透电池片的过孔电极(8)导入电池背面的背面负极主栅线；电池背面的背面正极细栅线(7)和背面正极主栅线(9)分布于过孔电极(8)以外的区域，且背面正极细栅线(7)与背面正极主栅线(9)相交将电池背面收集的空穴导入背面正极主栅线(9)；

所述的正面负极细栅线穿透正面减反射膜(1)及正面钝化膜(2)，与N型掺杂层(3)形成欧姆接触，同时与过孔电极(8)熔接，构成电子收集器；背面正极细栅线(7)穿透第一背面钝化膜(5)和第二背面钝化膜(6)与P型晶硅基体(4)形成欧姆接触，同时与背面正极主栅线(9)熔接，构成空穴收集器；所述的过孔电极(8)设置在P型硅片上的通孔中，通孔在厚度方向贯通整个P型硅片，通孔内壁为N型掺杂层(3)和钝化膜。

2.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，所述的背面正极主栅线(9)的个数为3～15根，单个背面正极主栅线(9)的宽度为0.5～5mm。

3.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，所述的背面正极细栅线(7)为一组或多组相互平行的线段，长度为10～80mm，宽度为30～300um，相邻两行线段的间距为1～4mm。

4.根据权利要求3所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，所述的背面正极细栅线(7)的材质为铝、银、铜、镍中的一种或多种金属合金。

5.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，每一组背面正极细栅线(7)与至少一个背面正极主栅线(9)相交。

6.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，通孔按等行距等列距阵列排布，单个通孔的直径为100～500um，每行或每列数量为4～10个。

7.根据权利要求1所述的P型晶体硅双面电池结构，其特征在于，所述的电池片为整片P型单晶硅/多晶硅电池，或分片后的P型单晶硅/多晶硅电池。

8.一种P型晶体硅双面电池结构的制作方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)在P型硅片上采用激光形成若干相同大小的通孔，通孔在厚度方向贯通整个P型硅片，通孔按等行距等列距阵列排布；

2)将P型硅片进行表面织构化处理；

3)进行磷掺杂处理，在硅片的正面及通孔壁表层上形成N型掺杂层(3)，掺杂后的方阻为40～100Ω/□；

4)在通孔及周边区域制作掩膜；

5)刻蚀去掉P型硅片正面的磷硅玻璃、背结及掩膜；

6)将刻蚀后的P型硅片在退火炉中进行退火处理，在硅片的表面生长一层致密的热氧化硅，同时掺杂层的杂质原子进行再分布；

7)在P型硅片的正面及通孔内壁沉积正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2)；在P型硅片的背面及通孔内壁沉积第一背面钝化膜(5)、第二背面钝化膜(6)；

8)采用激光在背面的第二背面钝化膜(6)及第一背面钝化膜(5)上按图形进行开膜，开膜图形为一组或多组相互平行的线段；

9)按如下步骤制作电池电极：①在背面制作过孔电极(8)，过孔浆料填满整个通孔，之后烘干；②在背面制作若干相互平行且等间距排布的背面正极主栅线(9)，之后烘干；③在背面按图案制作背面正极细栅线(7)，每一组背面正极细栅线与至少一个背面正极主栅线垂直相交，之后烘干；④在正面制作正面负极细栅线，正面负极细栅线交汇于正面通孔处，并与过孔电极(8)连接；

10)在300～900℃下进行热处理，正面负极细栅线穿透正面减反射膜(1)及正面钝化膜(2)与N型掺杂层(3)形成欧姆接触，同时与过孔电极(8)熔接在一起，构成电子收集器；背面正极细栅线(7)与P型晶硅基体(4)形成欧姆接触，同时与背面正极主栅线(9)熔接在一起，构成空穴收集器。