[发明专利]硒化钴/钛网分解水制氧电极及其制备方法

权利要求书

1.一种硒化钴/钛网电极，其用作分解水制氧电极，包括钛网和生长在钛网网丝上的硒化钴纳米片，其中所述硒化钴为Co_0.85Se或Co₉Se₈。

2.如权利要求1所述的硒化钴/钛网电极，其中硒化钴在钛网上的生长量为0.04-0.14mg/cm²钛网，所述硒化钴纳米片的厚度为10nm-40nm，且所述硒化钴纳米片在钛网网丝上形成纳米片阵列。

3.如权利要求1所述的硒化钴/钛网电极，其中硒化钴在钛网上的生长量为0.06-0.10mg/cm²钛网。

4.一种硒化钴/钛网电极的制备方法，包括利用具有预定钴/硒摩尔比的钴盐和硒粉、以及氨水通过水热法在钛网上原位生长硒化钴纳米片，其中钴/硒摩尔比为1:2～9:8，控制水热反应温度范围100-180℃，反应时间1-48小时。

5.如权利要求4所述的制备方法，其中将具有预定钴/硒摩尔比的钴盐和硒粉、氨水及钛网加入到水热反应釜中，控制水热反应温度范围100-150℃，时间12-48小时，冷却得到硒化钴/钛网电极，其中所述钴盐选自氯化钴、溴化钴、氟化钴、乙酸钴、硝酸钴、硫酸钴和碳酸钴。

6.如权利要求4或5所述的制备方法，其中所述钴/硒摩尔比为1:1、1:2、7:8、9:8或5:6，控制水热反应温度范围110-130℃，时间10-15小时，且控制硒化钴在钛网上的生长量为0.04-0.14mg/cm²钛网。

7.如权利要求6所述的制备方法，其中所述钴/硒摩尔比为5:6，且硒化钴在钛网上的生长量为0.06-0.10mg/cm²钛网。

8.权利要求1-3任一项所述的硒化钴/钛网电极或权利要求4-7任一项所述的制备方法得到的硒化钴/钛网电极在分解水制氧中作为阳极的应用。