[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包含：

在一金属线的上方，形成一蚀刻停止层，其中形成该蚀刻停止层包含积一第一层与在该第一层的上方沉积一第二层以及在该第一层与该第二层之间沉积一第三层，其中该第三层包含掺杂氧的碳化硅，该第一层与该第二层是以不同材料形成；

在该蚀刻停止层的上方，形成一低介电常数介电层；

在该低介电常数介电层的上方，沉积一掩模层；

图形化该掩模层，以形成一第一掩模沟槽；

涂覆一图形化的光致抗蚀剂，该图形化的光致抗蚀剂具有一第一部分，该第一部分在该掩模层的上方；

蚀刻该低介电常数介电层以形成一第二沟槽与一介层窗开口，该介层窗开口在该第二沟槽下并连接该第二沟槽，其中使用该掩模层作为一附加的蚀刻掩模来蚀刻该低介电常数介电层；

在蚀刻该低介电常数介电层之后，蚀穿该蚀刻停止层的该第二层与该第三层；

在蚀穿该蚀刻停止层的该第三层之后，使用包含氮与氩的一工艺气体，移除形成于该第二沟槽与该介层窗开口的至少其中之一的一聚合物物，其中在移除该聚合物的过程中，氮的流量(flow rate)相对于氮与氩的总流量的氮的比例，是在百分之二十与百分之四十之间；

在移除该聚合物之后，蚀穿该蚀刻停止层的该第一层；以及

填充该第二沟槽与该介层窗开口，以分别形成一附加金属线与一介层窗。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻停止层的该第一层包含氮化铝，该蚀刻停止层的该第二层包含氧化铝。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在使用氮与氩移除该聚合物之后，施行一湿蚀刻以进一步移除该聚合物。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在该低介电常数介电层的顶部形成一附加介层窗开口，其中该介层窗开口与该附加介层窗开口是在一双重图形化工艺(double-patterning process)形成。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中该图形化的光致抗蚀剂还包括一第二部分，在蚀刻该低介电常数介电层以形成该介层窗开口时，该第二部分是填入该附加介层窗开口。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在该掩模层形成一第二掩模沟槽，其中该第一掩模沟槽与该第二掩模沟槽是在一双重图形化工艺形成，且该图形化的光致抗蚀剂还包括多个第三部分，在蚀刻该低介电常数介电层以形成该介层窗开口时，该些第三部分是填入该第一掩模沟槽与该第二掩模沟槽。

7.一种半导体装置的制造方法，包含：

在一金属线的上方，形成一蚀刻停止层，其中形成该蚀刻停止层包含沉积一第一层与在该第一层的上方沉积一第二层，其中沉积该第二层包含沉积一掺杂氧的碳化硅层，该第一层与该第二层是以不同材料形成；

在该蚀刻停止层的上方，形成一低介电常数介电层；

蚀刻该低介电常数介电层，以在该低介电常数介电层的一上部形成一沟槽、在该低介电常数介电层的一下部形成一介层窗开口；

蚀穿该蚀刻停止层的该第二层；

在蚀穿该蚀刻停止层的该第二层之后使用含氮与氩的一工艺气体进行处理，其中该氮具有一第一流量，该氩具有一第二流量，该第一流量相对于该第一流量与该第二流量之和的比值为0.2与0.4之间；

蚀穿该蚀刻停止层；以及

填充该沟槽与该介层窗开口，以分别形成一附加金属线与一介层窗。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中沉积该第一层包含沉积氮化铝层。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中形成该蚀刻停止层还包括在该掺杂氧的碳化硅层的上方形成氧化铝层。

10.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中进行该处理时，通过该蚀刻停止层的该第一层，将该金属线与该工艺气体分离。