[发明专利]用于力检测器的基于拐折的校准方法有效
申请号: | 201710181808.8 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN107239161B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 王营;I.波利什楚克 | 申请(专利权)人: | 辛纳普蒂克斯公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张懿;郑冀之 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 检测器 基于 校准 方法 | ||
1.一种用于校准传感器的方法,包括:
响应于跨所述传感器的多个感测区施加的多个力从多个传感器电极获取多个电容变化,其中所述多个电容变化形成对应于所述多个力的曲线;
识别所述曲线上至少两个拐点,其中所述至少两个拐点为所述多个感测区中的第一建模区定界;
基于所述至少两个拐点来确定模型,所述模型表示对于所述第一建模区中的多个位置的力;以及
使用所述模型来校准所述传感器用于力感测;
其中所述多个力中的一个或多个是沿着所述传感器的每个轴来施加。
2.根据权利要求1所述的方法,其中校准所述传感器用于力感测以补偿输入设备的机械方面的变化。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少两个拐点对应于所述多个电容变化的导数的符号的变化。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述至少两个拐点之间的所述位置不是均匀间隔开的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中第二建模区受不是拐点的校准点约束。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述不是拐点的校准点是所述传感器边缘附近的点。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述第二建模区包括与所述第一建模区相同的至少一个拐点。
8.根据权利要求1所述的方法,其中识别所述至少两个拐点包括识别向上斜率或向下斜率的至少一个。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述模型是针对所述第一建模区的分段线性近似。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述模型是针对所述第一建模区的二阶多项式近似。
11.根据权利要求1所述的方法,其中:
识别所述至少两个拐点包括识别在多个拐点处的所测量力水平。
12.一种用于校准传感器的处理系统,包括:
感测模块,配置成响应于跨所述传感器的多个感测区施加的多个力而从多个传感器电极获取多个电容变化,其中所述多个电容变化形成对应于所述多个力的曲线;以及
校准模块,配置成识别所述曲线上至少两个拐点,其中所述至少两个拐点为所述多个感测区中的第一建模区定界,并且还配置成基于所述至少两个拐点来确定模型,所述模型表示对于所述第一建模区中的多个位置的力,并且还配置成使用所述模型来校准所述传感器用于力感测,
其中所述多个力中的一个或多个是沿着所述传感器的每个轴来施加。
13.根据权利要求12所述的处理系统,其中使用所述模型来校准所述传感器用于力感测以补偿输入设备的机械方面的变化。
14.根据权利要求12所述的处理系统,其中所述至少两个拐点对应于所述多个电容变化的导数的符号的变化。
15.根据权利要求12所述的处理系统,其中所述模型是针对所述第一建模区的分段线性近似。
16.根据权利要求12所述的处理系统,其中所述校准模块确定受校准点约束的第二建模区,所述校准点不位于所述至少两个拐点的位置处。
17.根据权利要求12所述的处理系统,其中所述校准模块通过识别向上斜率或向下斜率的至少一个来识别所述至少两个拐点。
18.根据权利要求12所述的处理系统,其中:
识别所述至少两个拐点包括识别在多个拐点处的所测量力水平。
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