[发明专利]一种阻焊曝光方法有效

专利信息
申请号: 201710181528.7 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN106707700B 公开(公告)日: 2018-04-06
发明(设计)人: 傅志伟 申请(专利权)人: 上海誉刻智能装备有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211 代理人: 彭素琴
地址: 201612 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 曝光 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种阻焊曝光方法,属于曝光机技术领域。

背景技术

阻焊层是印刷电路板中绿色的或者其它颜色的部分,阻焊层的作用主要是过锡焊的时候防止不该被焊上的部分被焊锡连接,在回流焊中对电路板进行保护,在高低温测试时保持电路板性能稳定。另外,阻焊还可使电路板更加美观有光泽,美观,使导电线路处于致密的空间内,起到抗氧化,防短路等作用。

现有技术中,阻焊层多采用激光直写的方式曝光于电路板上,曝光光源采用多波段混合光源,但是在现有技术中,DMD不能长期接受多波段的混合光,特别是短波长高能量的光,对DMD的伤害很大,严重影响DMD的使用寿命,大大增加生产成本;若采用多个分别适应不同波长光源的DMD同时工作,不但增加设备生产成本、维护成本等,更使得设备体积过大,结构过于复杂,难以保证运行稳定性,而且多DMD同时向同一区域曝光,很难控制曝光精度。

因此,需要一种既不影响DMD寿命,又能很好加工阻焊层的阻焊曝光方法。

发明内容

为了解决上述问题,本发明提供了一种阻焊曝光方法。

本发明提供的一种阻焊曝光方法,包括以下步骤:

(1)对样品的阻焊区域进行直写曝光;

(2)对样品整个区域进行混合波长的平行光曝光;

(3)将样品进行显影处理,将非阻焊区域的阻焊层显影去除。

在本发明的一种实施方式中,步骤(1)中所述的直写曝光的光源波长为400nm-420nm,步骤(2)中所述平行光曝光的光源为波长380nm-390nm和波长为360nm-370nm的混合光。

在本发明的一种实施方式中,所述直写曝光的光源和平行光曝光的混合光源能量比为80%-95%:5%-20%。

在本发明的一种实施方式中,步骤(1)中所述的直写曝光的光源波长为405nm,步骤(2)中所述平行光曝光的光源为波长385nm和波长为365nm的混合光。

在本发明的一种实施方式中,所述直写曝光的光源和平行光曝光的混合光源能量比为90%:10%。

在本发明的一种实施方式中,步骤(3)中所述阻焊层的显影去除随样品显影操作进行。

本发明的优点和效果:

本发明提供的阻焊曝光方法:

1,避免了DMD接受多波长混合光,大大延长DMD的使用寿命,降低生产成本;

2,曝光方法对设备要求较低,利用二次平行光进行能量补偿,减少DMD个数,减少成本和设备复杂性。

3,实现对PCB板等产品阻焊层的能量补偿,使阻焊层在外观上有明显的光泽度;

4,使得阻焊层表面更加致密、隔绝气体,使产品具有更好的抗氧化性;

5,阻焊层具有更高的强度,提高PCB板的抗冲击能力;

6,提高阻焊层的耐高温、耐低温的性能,在回流焊过程中性质稳定,有效杜绝由于阻焊层被破坏导致的PCB板短路、电性能下降等情况的出现。

附图说明

图1为本发明阻焊曝光方法流程图。

具体实施方案

阻焊曝光后,将对阻焊层的附着力、硬度、耐溶侵蚀性、耐药品性、和绿油厚度进行测定,采用国家行业标准IPC-SM-840B的方法进行测试。

下面结合附图对发明的技术方案进行详细说明:

实施例1

以如图1为本发明阻焊曝光方法流程图,下面结合该流程图对本发明作进一步说明:

如图1所示,第1步:对样品的待曝光阻焊的区域进行直写曝光,所采用曝光光源波长为400nm;第2步:对样品整个区域进行混合波长的平行光曝光,所采用混合光光源为波长380nm和360nm的混合光;(3)将样品进行显影处理,将非阻焊区域的阻焊层显影去除。

第1步直写曝光和第2步平行光曝光的光源能量比为80%:20%。

第3步所述的阻焊层的显影去除随样品显影操作进行。

对所曝光的阻焊层进行性能测试,其中附着力达100%,硬度达5H,在280℃的耐溶侵蚀性达10秒,23℃的耐药品性达10分钟,绿油厚度0.25mm。

实施例2

与实施例1相比,实施例2采用不同的直写曝光光源和平行光曝光光源,采用不同的能量配比:

具体步骤如图1所示,第1步:对样品的待曝光阻焊的区域进行直写曝光,所采用曝光光源波长为420nm;第2步:对样品整个区域进行混合波长的平行光曝光,所采用混合光光源为波长390nm和370nm的混合光;(3)将样品进行显影处理,将非阻焊区域的阻焊层显影去除。

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