[发明专利]多层陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 201710181515.X 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN107527736B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 龙穣;谷口克哉;森田浩一郎;岩崎誉志纪 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H01G4/008 分类号: H01G4/008;H01G4/08;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;张燕
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 陶瓷 电容器
【说明书】:

本发明涉及一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在第一内部电极上并且包含BaTiO3和Ni;以及第二内部电极,其层叠在电介质层上,包含Ni并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中,通过用透射电子显微镜分析五个区域获得的Ni浓度在0.015至0.045的范围内,所述五个区域通过将如下区域等分成五个而获得,所述区域是在第一内部电极和第二内部电极之间在层叠方向上从与上述电介质层的第一内部电极相距50nm的位置到与上述电介质层的第二内部电极相距50nm的位置。

技术领域

本发明的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。

背景技术

为了实现小型大容量多层陶瓷电容器,已经减薄了电介质层并且增加了层叠电介质层的数量以开发可靠的产品。随着电介质层变得更薄,因电介质层与内部电极层之间的收缩率差异引起的应力可能在电介质层中产生开裂。决定着多层陶瓷电容器的特性的电介质层的设计是重要的。。

公开了将Ni扩散到内部电极之间距离的3%至30%以改善电容的温度特性的技术(例如,参见日本专利申请公开第10-4027号,下文称为专利文献1)。还公开了通过将均匀地含有Mg或Ni的组成区域布置为电介质层以与内部电极层接触并通过使电介质层的中央部包括其中Mg或Ni均不存在的晶粒来降低在高温高电压下的绝缘劣化的技术(例如,参见日本专利申请公开第2010-232248号,下文称为专利文献2)。

然而,在专利文献1和2的技术中,Ni没有在层叠方向上在电介质层的中间部分扩散。在这种情况下,电介质层和内部电极层之间的应力没有充分地减小。因此,难以解决在电介质层中产生开裂的问题。

发明内容

根据本发明的一方面,提供一种多层陶瓷电容器,其包括:一对外部电极;第一内部电极,其连接到所述一对外部电极中的一个;电介质层,其层叠在所述第一内部电极上并且包含BaTiO3和Ni;以及第二内部电极,其层叠在所述电介质层上,包含Ni,并且连接到所述一对外部电极中的另一个,其中通过用透射电子显微镜分析五个区域获得的Ni浓度在0.015至0.045的范围内,所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到,所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置。

附图说明

图1是多层陶瓷电容器的局部横截面透视图;

图2是沿图1中的A-A线的横截面视图;

图3是图2的局部放大图;

图4是示出多层陶瓷电容器的制造方法的流程图;且

图5示出实施例和比较例。

具体实施方式

将参考附图给出对实施方式的描述。

实施方式

将描述多层陶瓷电容器。图1是多层陶瓷电容器100的局部横截面透视图。如图1所示,多层陶瓷电容器100包括具有长方体形状的多层芯片10,以及位于多层芯片10的相对端面上的外部电极20和外部电极30。

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