[发明专利]多层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明的某方面涉及一种多层陶瓷电容器。

背景技术

为了实现小型大容量的多层陶瓷电容器，已经减薄了电介质层并且增加了层叠层数。决定着多层陶瓷电容器的特性的电介质层的设计是重要的。例如，公开了将Ni扩散到内部电极之间距离的3％至30％以改善电容的温度特性的技术(例如，参见日本专利申请公开第10-4027号，下文称为专利文献1)。

但是，在专利文献1的技术中，由于在层叠方向上贱金属未在电介质层的中央部扩散，因此，贱金属的浓度可能在层叠方向上局部较高。具有高浓度贱金属的部分使电介质层的介电常数降低。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种多层陶瓷电容器，其包括：一对外部电极；第一内部电极，其包含贱金属并且连接到所述一对外部电极中的一个；电介质层，其层叠在所述第一内部电极上并且包含陶瓷材料和所述贱金属；以及第二内部电极，其层叠在所述电介质层上，包含所述贱金属，并且连接到所述一对外部电极中的另一个，其中五个区域的每一个中的贱金属浓度在所述五个区域中的贱金属浓度的均值的±20％内，所述五个区域通过在层叠方向将所述电介质层的区域等分为五个而得到，所述电介质层的所述区域位于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间在所述层叠方向上从与所述第一内部电极相距50nm的位置到与所述第二内部电极相距50nm的位置，并且所述电介质层的厚度为0.6μm或更小。

附图说明

图1是多层陶瓷电容器的局部横截面透视图；

图2是沿图1中的A-A线的横截面视图；

图3是图2的局部放大图；

图4示出晶粒和晶界；

图5是示出制造多层陶瓷电容器的方法的流程图；且

图6示出实施例和比较例。

具体实施方式

将参考附图给出对实施方式的描述。

实施方式

将描述多层陶瓷电容器。图1是多层陶瓷电容器100的局部横截面透视图。如图1所示，多层陶瓷电容器100包括具有长方体形状的多层芯片10，以及位于多层芯片10的相对端面上的外部电极20和外部电极30。

外部电极20和外部电极30包含贱金属材料。多层芯片10具有如下的结构，该结构设计成具有交替层叠的包含陶瓷材料用作电介质的电介质层11和包含贱金属材料的内部电极层12。内部电极层12的端缘交替地露出至多层芯片10的外部电极20所处的端面以及多层芯片10的外部电极30所处的端面。由此，内部电极层12交替地电连接到外部电极20和外部电极30。这种结构使得多层陶瓷电容器100具有如下的结构，其中多个电介质层11隔着内部电极层12而层叠。另外，在多层芯片10中，电介质层11和内部电极层12层叠的方向(下文称为层叠方向)上的两端面被覆盖层13所覆盖。覆盖层13的材料是，例如与电介质层11的材料相同。

多层陶瓷电容器100具有例如0.2mm的长度、0.1mm的宽度和0.3mm的高度，或0.6mm的长度、0.3mm的宽度和0.3mm的高度，或1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.5mm的高度，或3.2mm的长度、1.6mm的宽度和1.6mm的高度，或4.5mm的长度、3.2mm的宽度和2.5mm的高度，但是尺寸不限于上述尺寸。

外部电极20和外部电极30以及内部电极层12主要由诸如镍(Ni)、铜(Cu)或锡(Sn)的贱金属构成。电介质层11主要由具有由通式ABO₃所表示的钙钛矿结构的陶瓷材料构成。钙钛矿结构包括具有非化学计量组成的ABO₃-α。包含在内部电极层12中的贱金属以氧化物的形式扩散到电介质层11中。由此，贱金属分布在电介质层11中。当电介质层11中的贱金属浓度在层叠方向上局部较高时，介电常数降低。因此，在以下的实施方式中，将对能够抑制介电常数降低的多层陶瓷电容器进行说明。作为示例，实施方式将集中于Ni作为包含在内部电极层12中的贱金属且BaTiO₃(钛酸钡)作为包含在电介质层11中的具有钙钛矿结构的陶瓷材料。