[发明专利]像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置有效
| 申请号: | 201710181078.1 | 申请日: | 2017-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN108630728B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
| 发明(设计)人: | 侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 界定 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本公开提供一种像素界定层,该像素界定层包括:具有多个界定像素区域的开口的基底界定层,以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层,其中,所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。在本公开中,通过在像素界定层中基底界定层的至少一个开口的侧面上设置第一界定层,且该基底界定层和第一界定层的材料不相同,从而使该像素界定层可以更广泛地适应于不同材料形成的空穴注入层,使空穴注入层成膜更均匀,从而使有机电致发光器件的发光效率更高、器件的寿命更长。
技术领域
本发明的实施例涉及一种像素界定层及其制备方法、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此,利用有机电致发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
有机薄膜电致发光器件中有机电致发光层形成方法包括真空蒸镀方法和溶液法。真空蒸镀方法适用于有机小分子,该有机电致发光层的形成不需要溶剂,形成的有机电致发光层薄膜的厚度均一,但是设备投资大、材料利用率低、该方法不适用于大尺寸产品的生产。溶液法包括旋涂、喷墨打印、喷嘴涂覆法等,该方法适用于聚合物材料和可溶性小分子,其特点是设备成本低,在大规模、大尺寸生产上优势突出。特别是喷墨打印技术,能将溶液精准的喷墨到像素区中,形成有机功能层,但是其最大的难点是有机功能层材料的溶液在像素区内难以形成厚度均一的有机功能层。
发明内容
本发明至少一实施例提供一种像素界定层,该像素界定层包括:具有多个界定像素区域的开口的基底界定层,以及设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第一界定层,其中,所述基底界定层和所述第一界定层的材料不相同。
例如,本发明至少一实施例提供的像素界定层,还包括:设置在所述基底界定层的至少一个所述开口的侧面上的第二界定层,所述基底界定层、所述第一界定层和所述第二界定层的材料互不相同。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,所述基底界定层的材料包括亲水性材料或者第一疏水性材料;所述第一界定层的材料包括第二疏水性材料;所述第二界定层的材料包括第三疏水性材料。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,所述第一疏水性材料、所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料均包括氟化聚酰亚胺、氟化聚甲基丙烯酸甲酯或者氟化有机硅中的至少之一。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,当所述第一疏水性材料和所述第二疏水性材料或者所述第三疏水性材料仅氟化程度不同时,所述第一疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值小于所述第二疏水性材料和所述第三疏水性材料中氟化基团与未氟化基团的比值。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,所述亲水性材料包括无机亲水性材料或者有机亲水性材料,所述无机亲水性材料包括SiO2、SiNx或者SiONx中的至少之一;所述有机亲水性材料包括聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯或者有机硅树脂中的至少之一。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,去离子水在所述基底界定层上的接触角小于去离子水在所述第一界定层或者所述第二界定层上的接触角,且相差30°~90°。
例如,在本发明至少一实施例提供的像素界定层中,所述基底界定层的厚度为3~50μm,所述第一界定层和所述第二界定层的厚度为1~3μm。
本发明至少一实施例还提供一种有机电致发光器件,包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上的如上所述的像素界定层;设置在所述基底界定层的开口中的有机功能层。
例如,在本发明至少一实施例提供的有机电致发光器件中,所述有机功能层包括层叠设置的空穴注入层和有机发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





