[发明专利]受保护的电子芯片

说明书

公开了受保护的电子芯片。一种电子芯片，包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。电路部件可以形成在该第一掺杂阱的顶表面处并与该掩埋层分隔开。电流检测器耦合到该掩埋层并且被配置成用于检测流入或流出该掩埋层的偏置电流。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年9月30日提交的法国专利申请号1659451的优先权权益，该专利申请的内容在法律允许的最大程度上通过引用以其全文结合在此。

技术领域

本申请涉及电子芯片，例如涉及被保护免受攻击的电子芯片。

背景技术

电子芯片(诸如银行卡芯片)包含很可能被剽窃者觊觎的机密数据。为了获得此信息，剽窃者可以通过用激光脉冲扫描芯片的后表面来实施攻击。激光的影响会干扰芯片操作。观察这类干扰(有时被称为故障)的结果，使得剽窃者能够实施攻击。为了干扰芯片操作，剽窃者还可以使用探针接触后表面来施加正电势或负电势。

期望保护电子芯片免受这类攻击(被称为故障注入攻击)，已知的设备具有各种缺点和实现问题。

发明内容

因此，实施例提供了一种电子芯片，该电子芯片包括：第一导电类型的掺杂半导体衬底、覆盖该衬底的第二导电类型的掺杂掩埋层以及覆盖该掩埋层的该第一导电类型的第一掺杂阱。与该掩埋层分隔开的电路形成在该第一阱的内部和顶部上和/或在形成于该第一阱中的第二阱的内部和顶部上。电流检测器用于对该掩埋层进行偏置。

根据实施例，与掩埋层接触的第二导电类型的第一壁包围第一阱。

根据实施例，与衬底接触的第一导电类型的第二壁包围第一壁。

根据实施例，在掩埋层与第二阱之间，第一阱具有在从2μm到3μm范围内的厚度。

根据实施例，掩埋层具有在2μm至3μm的范围内的厚度。

根据实施例，当偏置电流的绝对值大于从2μA到50μA范围中的值时，检测器能够生成报警信号。

实施例提供了一种保护上述芯片免受攻击的方法，包括：将该衬底和该第一阱偏置到一定参考电势；对该掩埋层进行偏置以阻断该掩埋层与该衬底之间的结以及该掩埋层和该第一阱之间的结；以及如果用于对所述掩埋层进行偏置的该电流大于阈值，则生成报警信号，该报警信号触发应对措施以停止该攻击。

前述和其他特征和优势将结合附图在特定实施例的以下非限制性描述中详细讨论。

附图说明

图1和图2是展示了不同类型的电子芯片电路的局部简化横截面视图；

图3A是被保护免受攻击的电子芯片的实施例的局部简化横截面视图；

图3B是图3A的芯片的简化俯视图；以及

图4展示了攻击检测器的实施例。

具体实施方式

已经在各种附图中使用相同参考标号来标示相同的元件，并且各种附图并未按比例绘制。为清楚起见，仅已经示出并详述了对于理解所描述的实施例有用的那些步骤和元件。具体而言，未示出模拟或数字电路以及存储器电路的细节。

在下文的描述中，当引用限制相对位置的术语(如术语“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”等)时，参考相关元件在相关横截面视图中的取向。