[发明专利]一种漏极轻偏移结构的制备方法有效
| 申请号： | 201710178098.3 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106847702B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 李松举;李成;祝汉泉;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利(惠州)智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 章兰芳<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 516029广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 漏极轻 偏移 结构 制备 方法 | ||
1.一种漏极轻偏移结构的制备方法，包括玻璃基板晶化、P-Si衬底成像、栅极绝缘层成膜与栅极层成膜步骤，其特征在于，通过以下步骤形成漏极轻偏移结构：
涂胶步骤：在所述栅极层上涂覆光刻胶层；
半色调曝光步骤：通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光；具体是，紫外线透过所述半色调掩膜板的完全透光区域、部分透光区域和不透光区域对所述光刻胶层进行曝光；
显影步骤：将半色调曝光后的所述光刻胶层显影；
第一次金属刻蚀步骤：将所述栅极层刻蚀为与显影后的光刻胶层两端齐平；
第一次离子注入步骤：进行重掺杂离子注入，形成源极或漏极重掺杂区；具体是，将重掺杂离子注入到所述P-Si衬底层的未被第一次金属刻蚀后的栅极层遮挡的部分，形成源极或漏极重掺杂区；
光刻胶灰化步骤：对所述光刻胶层进行灰化，去除厚度小的部分；
第二次金属刻蚀步骤：将所述栅极层刻蚀为与灰化后的光刻胶两端齐平；
脱膜步骤：将所述光刻胶层剥离；
第二次离子注入步骤：进行轻掺杂离子注入，形成栅极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；具体是，将轻掺杂离子注入到第二次金属刻蚀后的栅极层上，形成栅极轻掺杂区，并将轻掺杂离子注入到所述P-Si衬底层的未被第二次金属刻蚀后的栅极层遮挡的部分，形成漏极轻掺杂区。
2.根据权利要求1所述的一种漏极轻偏移结构的制备方法，其特征在于：在所述显影步骤中，将所述光刻胶层显影后形成完全曝光区域、部分曝光区域和不曝光区域，所述显影后的光刻胶层的部分曝光区域的厚度小于不曝光区域的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
