[发明专利]射频线圈阵列及磁共振成像发射阵列

权利要求书

1.一种应用于磁共振成像中的射频线圈阵列，其包括：

多个发射线圈单元；

多个射频功率放大器，其中，每一个射频功率放大器与至少一个发射线圈单元相集成以驱动所述至少一个发射线圈单元；以及

用于屏蔽所述多个发射线圈单元的射频屏蔽装置，

其中，每两个相邻的发射线圈单元经由射频扼流圈连接，所述多个发射线圈单元经由直流电压源连接至所述射频屏蔽装置；或者

其中，每一个发射线圈单元经由射频扼流圈连接到所述直流电压源。

2.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，所述多个发射线圈单元是非谐振的。

3.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，所述多个射频功率放大器中的每一个具有电压源或电流源的特性。

4.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，所述发射线圈单元是一段辐射导体或是一个小线圈。

5.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，每一个射频功率放大器包括MOSFET。

6.如权利要求5所述的射频线圈阵列，其中，每一个射频功率放大器包括直接连接到一个发射线圈单元的独立封装的MOSFET或者半导体MOSFET芯片。

7.如权利要求5所述的射频线圈阵列，其中，每一个射频功率放大器还包括与所述MOSFET并联连接的可变电容。

8.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，所述多个发射线圈单元被布置成在x, y和/或z轴上的矩阵线圈阵列。

9.如权利要求8所述的射频线圈阵列，其中，所述多个发射线圈单元被配置成体线圈或局部表面线圈。

10.如权利要求1所述的射频线圈阵列，其中，与各自的射频功率放大器集成的所述多个发射线圈单元被安装到所述射频屏蔽装置上。

11.一种磁共振成像发射阵列，其包括：

多个射频发射器，其用于生成多个射频信号；

如权利要求1至9中任一项所述的射频线圈阵列，所述射频线圈阵列还包括射频屏蔽装置，其用于屏蔽所述多个发射线圈单元与磁体低温恒温器和梯度线圈单元的相互作用，其中，所述多个射频功率放大器与各自的射频发射器连接并且被配置用于将来自所述各自的射频发射器的所述射频信号进行功率放大，并且，所述多个发射线圈单元被配置用于发射各自的放大后的射频信号，以便提供多通道并行发射；及

直流电压源，其用于向所述多个发射线圈单元提供直流电压。

12.如权利要求11所述的磁共振成像发射阵列，其中，每一个发射线圈单元经由电容电性连接到所述射频屏蔽装置。

13.如权利要求11所述的磁共振成像发射阵列，其中每一个发射线圈单元电性连接到所述射频屏蔽装置。

14.如权利要求11所述的磁共振成像发射阵列，其中，所述多个发射线圈单元中的至少一部分由各自的射频发射器选择性激励。

15.如权利要求11所述的磁共振成像发射阵列，其还包括：

多个无线接收器，其用于接收来自上位机的多个无线数字信号并将所述多个无线数字信号传送给所述各自的射频发射器。