[发明专利]存储器装置

说明书

本发明公开了一种存储器装置。存储器装置包括存储器阵列。存储器阵列包括主要存储器区块与备份存储器区块。存储器阵列包括主要位线及备份位线。备份存储器区块对主要存储器区块的区块数目比值A是大于备份位线对主要位线的位线数目比值B。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置，且特别是有关于具有NAND存储器结构的存储器装置。

背景技术

随着集成电路中组件的关键尺寸逐渐缩小至工艺技术所能感知的极限，设计者已经开始寻找可达到更大存储器密度的技术，从而达到较低的位成本(costs per bit)。目前正被关注的技术包括与非门存储器(NAND memory)及其操作。

发明内容

本发明是有关于一种存储器装置。

根据本发明的一方面，提出一种存储器装置。存储器装置包括存储器阵列。存储器阵列包括主要存储器区块与备份存储器区块。存储器阵列包括主要位线及备份位线。备份存储器区块对主要存储器区块的区块数目比值A是大于备份位线对主要位线的位线数目比值B。

位线数目比值B是0.5％至10％，区块数目比值A大于10％。

主要存储器区块与备份存储器区块各包括部分主要位线及部分备份位线。

备份位线是用以在主要位线及/或对应主要位线的存储单元发生缺陷时进行冗余修复(redundancy repair)或错误核对与改正(Error Checking and Correcting，ECC)，备份存储器区块是用以在主要存储器区块发生缺陷时进行区块修补(block repair)。

主要存储器区块包括多个次主要存储器区块，这些次主要存储器区块各包括字线及接地选择线，这些次主要存储器区块是各自独立地控制字线及接地选择线。

主要存储器区块包括多个次主要存储器区块，主要存储器区块包括多个位线、多个接地选择线与多个字线，这些位线依排列方向以其中至少两个位线为一组而分成多个位线组，这些字线是对应这些位线组分成多个字线组，这些次主要存储器区块各包括这些位线组其中之一、这些接地选择线其中之一与这些字线组其中之一，这些次主要存储器区块的这些字线组是彼此独立地被控制，这些次主要存储器区块的这些接地选择线是彼此独立地被控制。

备份存储器区块包括多个次备份存储器区块，这些次备份存储器区块各包括字线及接地选择线，这些次备份存储器区块是各自独立地控制其字线及接地选择线。

备份存储器区块包括多个次备份存储器区块，备份存储器区块包括多个位线与多个字线，这些位线依排列方向以其中至少两个位线为一组而分成多个位线组，这些字线是对应这些位线组分成多个字线组，这些次备份存储器区块各包括这些位线组其中之一与这些字线组其中之一，这些备份存储器区块的这些字线组是彼此独立地被控制。

备份存储器区块包括多个次备份存储器区块，备份存储器区块包括多个位线与多个接地选择线，这些位线依排列方向以其中至少两个位线为一组而分成多个位线组，这些次备份存储器区块各包括这些接地选择线其中之一与这些位线组其中之一，这些次备份存储器区块的这些接地选择线是彼此独立地被控制。

存储器阵列包括3D NAND串行。

为了对本发明的上述及其他方面有更好的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1为根据一实施例的存储器装置的示意图。

图2绘示根据一实施例的位线区域与位线区域的上视图。

图3绘示根据一实施例的存储器阵列区域与存储器阵列区域的示意图。

图4绘示根据一实施例的例如2D NAND存储器阵列其存储器区块的电路示意图。