[发明专利]LED外延生长方法

权利要求书

1.一种LED外延生长方法，其特征在于，包括：

从下往上依次生长衬底、缓冲层、非掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层；

在所述N型掺杂的GaN层之上生长量子阱发光层，其中所述量子阱发光层的能级发生渐变，所述量子阱发光层从下往上依次包括InGaN层、铟组分递减的In_xGa_1-xN层、第一GaN层、第二GaN层；

其中，所述第一GaN层是在第一温度下以横向生长方式形成的，所述第二GaN层是在第二温度下以横向生长方式形成的，所述第一温度低于所述第二温度，所述第一GaN层的厚度小于第二GaN层的厚度；

在所述量子阱发光层之上从下往上依次生长P型掺杂的GaN层、P型金属接触层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在生产温度为760-790℃下，所述InGaN层的厚度为3nm-5nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在生产温度为760-790℃下，所述铟组分递减的In_xGa_1-xN层的厚度为1nm-4nm，其中0.05<x<0.2。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在生产温度为780-820℃下，所述第一GaN层的厚度为1nm-4nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在生产温度为800-880℃下，所述第二GaN层的厚度为4nm-10nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述InGaN层、所述铟组分递减的In_xGa_1-xN层、所述第一GaN层、所述第二GaN层为一组，交替生长周期为7-15组。