[发明专利]非对称阶梯结构及其制造方法在审
申请号: | 201710176964.5 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN108630528A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 张耀元 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/822 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单元层 阶梯结构 非对称 多层单元 叠层 阶差 制造 重复 覆盖 | ||
1.一种非对称阶梯结构,其特征在于,包括:
叠层的多层单元层及m个(m≥2)区域,其中
每个区域中有不同部分的单元层其各自有一部分未被上方相邻的单元层覆盖,且该不同部分的单元层其两两间隔为m层单元层,而形成阶差为m层单元层的阶梯,并且
任两区域中的两不同部分的单元层不重复。
2.根据权利要求1所述的非对称阶梯结构,其特征在于,这些单元层的总层数为N(N≥4),且当这些单元层由下至上编号为第1至第N单元层时,第i(i=1~m)区域中的该不同部分的单元层的编号为N-(i-1)-0×m、N-(i-1)-1×m...N-(i-1)-ki×m,其中ki为不使N-(i-1)-ki×m小于1的最大整数。
3.根据权利要求1或2所述的非对称阶梯结构,其特征在于,所述m个区域的阶梯排列形成峰状或谷状。
4.根据权利要求1或2所述的非对称阶梯结构,其特征在于,所述m个区域中至少有两个区域的阶梯的由低至高的走向不同或相反。
5.根据权利要求1或2所述的非对称阶梯结构,其特征在于,所述m个区域中至少有两个区域的阶梯的由低至高的走向相同。
6.根据权利要求1或2所述的非对称阶梯结构,其特征在于,每一单元层包括第一材料层及第二材料层,且这些单元层的这些第一材料层及这些第二材料层交替叠层。
7.根据权利要求6所述的非对称阶梯结构,其特征在于,这些单元层叠层在一衬底上,每一单元层中第二材料层位于第一材料层上,且最低的单元层与该衬底之间还有一层第二材料层,其覆盖该衬底或者未覆盖该衬底的一部分,其中该衬底的该部分位于所述m个区域中的至少一个区域中。
8.根据权利要求1或2所述的非对称阶梯结构,其特征在于,这些单元层的总层数或N值为m值的整数倍。
9.一种非对称阶梯结构的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底上形成包括多层单元层的叠层结构;
阶形产生程序,包括光刻、掩模削减,以及每次刻蚀m层单元层的多次刻蚀步骤,以在m个(m≥2)区域各自中产生阶差为m层单元层的阶梯形状;以及
m-1次局部刻蚀程序,分别对第2至第m区域进行,其中对第i区域(i=2~m)进行的局部刻蚀程序除去第i区域中的i-1层单元层,
其中所述阶差产生步骤与m-1次局部刻蚀程序这m个程序的顺序为任意。
10.根据权利要求9所述的非对称阶梯结构的制造方法,其特征在于,在经过局部刻蚀程序的所述第2至第m区域中,至少有一个区域在经过所述阶差产生步骤及对应的局部刻蚀程序之后会有所述衬底的一部分暴露出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造