[发明专利]氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法

权利要求书

1.一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择优取向方向的硒化锑薄膜；所述特定取向的氧化锌基底为(100)取向的氧化锌基底、或(002)取向的氧化锌基底；

当所述特定取向的氧化锌基底为(100)取向的氧化锌基底时，诱导生长出的所述具有择优取向方向的硒化锑薄膜是以<221>方向为主导生长取向；

当所述特定取向的氧化锌基底为(002)取向的氧化锌基底时，诱导生长出的所述具有择优取向方向的硒化锑薄膜是以<120>方向为主导生长取向；

所述(100)取向的氧化锌基底，其X射线衍射曲线中，ZnO(100)对应的衍射峰最高强度不小于ZnO(002)对应的衍射峰最高强度的60％；

所述(002)取向的氧化锌基底，其X射线衍射曲线中，ZnO(002)对应的衍射峰强度最高，且ZnO(100)对应的衍射峰最高强度不大于ZnO(002)对应的衍射峰最高强度的8％。

2.一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)利用喷涂热解的方法在第一基底上沉积氧化锌薄膜：采用硝酸锌浓度为0.1～0.4mol L^-1的硝酸锌水溶液作为喷涂前驱体，控制前驱体流量为1-3mL min^-1，喷枪气压为1.5kPa-2.0kPa，基板温度为380～420℃，退火温度为450～550℃，退火时间为15-25min或50-70min，得到覆盖有(100)取向或(002)取向的氧化锌薄膜的基底；

(2)采用快速热蒸发的方式在所述步骤(1)得到的覆盖有特定取向的氧化锌薄膜的基底上继续沉积硒化锑薄膜，从而获得相应取向生长的硒化锑薄膜；

当所述步骤(2)是采用所述(100)取向的氧化锌薄膜时，所述硒化锑薄膜是以<221>方向为主导生长取向；

当所述步骤(2)是采用所述(002)取向的氧化锌薄膜时，所述硒化锑薄膜是以<120>方向为主导生长取向。

3.如权利要求2所述氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(2)是利用硒化锑粉末作为蒸发源，控制真空度不超过0.5Pa，基底温度为275℃～350℃并维持不少于15min，接着将蒸发源的温度加热至550～570℃，控制蒸发时间为30～35s；所述硒化锑薄膜的厚度为400～600nm。

4.如权利要求2所述氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述第一基底为透明导电玻璃。

5.如权利要求4所述氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法，其特征在于，该透明导电玻璃为FTO或ITO。

6.一种硒化锑薄膜太阳能电池，其特征在于，该硒化锑薄膜太阳能电池包括如权利要求1－5任意一项所述氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方法制备得到的硒化锑薄膜；该硒化锑薄膜是以<221>方向为主导生长取向，或者是以<120>方向为主导生长取向。