[发明专利]一种过孔倒角预测方法

权利要求书

1.一种过孔倒角预测方法，其特征在于，所述方法包括：

分别测量M个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率；

根据所述M个钝化子层的刻蚀速率的大小，预测在钝化层上形成过孔时是否会产生倒角；所述钝化层包括层叠设置的N个子层，所述N个子层中M个子层与所述M个钝化子层一一对应，对应设置的所述子层与所述钝化子层的生长条件相同，N≥M＞1，且M、N为正整数；所述M个子层中相邻的两个子层中位于下方的子层对应的钝化子层为第一钝化子层，位于上方的子层对应的钝化子层为第二钝化子层；

当任一第一钝化子层的刻蚀速率大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在钝化层上形成过孔时会产生倒角；当每个所述第一钝化子层的刻蚀速率均不大于对应的第二钝化子层的刻蚀速率时，预测在所述钝化层上形成过孔时不会产生倒角。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，测量每个所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

在基板上形成所述钝化子层，并测量所述钝化子层的初始膜厚；

对所述钝化子层进行刻蚀，并测量所述钝化子层经过刻蚀后的最终膜厚；

根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板为衬底基板，或者所述基板为形成有薄膜晶体管阵列的基板，或者所述基板为已经形成有钝化子层且已形成的钝化子层经过刻蚀后的基板。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：

对所述钝化子层进行局部刻蚀。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行局部刻蚀，包括：

刻蚀所述钝化子层并形成凹槽。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述对所述钝化子层进行刻蚀，包括：

对所述钝化子层进行整层刻蚀。

7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述根据所述钝化子层的初始膜厚和最终膜厚，计算所述钝化子层的刻蚀速率，包括：

采用所述钝化子层的初始膜厚与所述钝化子层的最终膜厚的差值除以所述钝化子层的刻蚀时间，得到所述钝化子层的刻蚀速率。

8.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化子层的厚度为3000至5000埃。

9.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化子层的刻蚀条件和在所述钝化层上形成过孔时采用的刻蚀条件相同。

10.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括层叠设置的缓冲层、主体层和顶层，所述分别测量至少两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，包括：分别测量两个钝化子层在相同的刻蚀条件下的刻蚀速率，所述两个钝化子层中的一个钝化子层与所述缓冲层的生长条件相同，所述两个钝化子层中的另一个钝化子层与所述主体层的生长条件相同。