[发明专利]逆变器

说明书

本发明公开了一种逆变器。其中，该逆变器包括：全桥逆变电路，接入直流电源和交流电源之间，用于将直流电源的直流电转换为交流电并将交流电并入交流电源，续流电路连接在全桥逆变电路与交流电源之间，用于在续流阶段导通。本发明提供的逆变器采用了一种新的续流路径，解决了相关技术中的逆变器由于晶体管高频通断会产生较大的共模漏电流，导致逆变器效率降低的技术问题。

技术领域

本发明涉及并网逆变技术领域，具体而言，涉及一种逆变器。

背景技术

并网逆变器能够把直流电逆变成交流电，然后并入交流电网。

并网逆变器可以分为隔离逆变器和不隔离逆变器两种类型。隔离逆变器又分为工频隔离逆变器和高频隔离逆变器。工频隔离并网逆变器体积大、笨重，效率低。高频隔离并网逆变器较工频隔离并网逆变器，效率虽然高，但是相对于不隔离并网逆变器，效率却较低。并且高频隔离并网逆变器控制复杂。

图1是现有技术的一种全桥逆变电路的示意图，如图1所示，单相不隔离并网逆变器现在一般采用全桥逆变电路，包括：4个晶体管，4个二极管，2个电感，1个电容以及直流电源和电网接口。晶体管S1’与晶体管S3’串联得到第一串联电路，晶体管S2’与晶体管S4’串联得到第二串联电路，其中，每个晶体管并联一个二极管，使晶体管S1’与二极管D1’并联，晶体管S2’与二极管D2’并联，晶体管S3’与二极管D3’并联，晶体管S4’与二极管D4’并联，其中，二极管的阴极与晶体管的漏极连接，二极管的阳极与晶体管的源极连接。再将第一串联电路、第二串联电路以及电容C’并联后接入直流电源，其中，串联电路中包括晶体漏极一端与直流电路正极Vdc’+相连，串联电路中包括晶体源极一端与直流电路负极Vdc’-相连。电感L1’的一端接入第一串联电路的晶体管S1’与晶体管S3’之间，另一端与电网接口Grid’的第一端连接；电感L2’的一端接入第二串联电路的晶体管S2’与晶体管S4’之间，另一端与电网接口Grid’的第二段连接。

不隔离并网逆变器有双极性调制和单极性调制工作模式。

一、双极性调制工作模式

如图1所示，当电网正半周时，S1’、S4’同时导通，S2’、S3’截止。电流路径为：

Vdc+’→S1’→L1’→Grid’→L2’→S4’→Vdc-‘；当S1、S4同时截止时，S2、S3同时导通。电流路径为：Grid’→L2’→D2’→C’→D3’→L1’。电网负半周时与此对称，就不再累赘。S1’、S4’、S2’、S3’均工作在高频，双极性调制晶体管开关损耗较大，逆变器效率偏低。

二、单极性调制工作模式

单极性调制工作的全桥单相逆变拓扑中的4个晶体管，其中2个晶体管工作在工频，另外2个晶体管是工作在高频。

如图1所示，当电网正半周时，S1’、S4’同时导通，S2’、S3’截止，电流路径为：Vdc+’→S1’→L1’→Grid’→L2’→S4’→Vdc-‘；当S1’断开时，S4’仍导通，且此时S2’、S3’仍保持截止，电流路径为：Grid’→L2’→S4’→D3’→L1’。电网负半周时与此对称。

采用单极性调制时，逆变器中晶体管高频通断，会产生高频时变电压作用在寄生电容上，产生较大共模漏电流，降低逆变器效率，也影响EMC性能。

针对上述相关技术中的逆变器由于晶体管高频通断会产生较大的共模漏电流，导致逆变器效率降低的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种逆变器，以至少解决相关技术中的逆变器由于晶体管高频通断会产生较大的共模漏电流，导致逆变器效率降低的技术问题。