[发明专利]谐振型MEMS反射镜控制系统有效
| 申请号: | 201710175092.0 | 申请日: | 2017-03-22 |
| 公开(公告)号: | CN107797269B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
| 发明(设计)人: | S·苏拉尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
| 主分类号: | G02B26/08 | 分类号: | G02B26/08 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 谐振 mems 反射 控制系统 | ||
1.一种用于控制谐振型MEMS反射镜的操作的控制电路,所述控制电路包括:
定时电路,所述定时电路被配置成用于控制对用于操作所述MEMS反射镜的激活脉冲的定时;
放大器电路,所述放大器电路被配置成用于从所述定时电路接收第一控制信号,并且用于响应于其而生成用于操作所述MEMS反射镜的第一激活脉冲集合;以及
检测电路,所述检测电路被配置成用于检测所述MEMS反射镜处的电流并且用于响应于检测到所述MEMS反射镜处的所述电流的方向变化而生成复位信号;
其中,所述定时电路进一步被配置成用于响应于从所述检测电路接收所述复位信号而终止激活脉冲。
2.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述MEMS反射镜是面内MEMS反射镜。
3.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述MEMS反射镜是交错MEMS反射镜。
4.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述检测电路包括:
比较器电路,所述比较器电路被配置成用于检测所述MEMS反射镜处的所述电流的方向并且用于生成指示所述MEMS反射镜处的所述电流的所述方向变化的信号;以及
逻辑电路,所述逻辑电路被配置成用于从所述比较器电路接收所述信号并且用于响应于其而生成所述复位信号。
5.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述第一激活脉冲集合包括被施加到所述MEMS反射镜的第一部分的第一初级脉冲以及被施加到所述MEMS反射镜的第二部分的第二初级脉冲。
6.如权利要求5所述的控制电路,其中,所述第一初级脉冲在所述MEMS反射镜的角度处于其最大正值时开始并且在所述MEMS反射镜的所述第一部分的最大电容的角度处终止,并且其中,所述第二初级脉冲在所述MEMS反射镜的所述角度处于其最大负值时开始并且在所述MEMS反射镜的所述第二部分的最大电容的角度处终止。
7.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述放大器电路进一步被配置成用于从所述定时电路接收第二控制信号,并且用于响应于其而生成用于操作所述MEMS反射镜的第二激活脉冲集合。
8.如权利要求7所述的控制电路,其中,所述第二激活脉冲集合包括被施加到所述MEMS反射镜的第一部分的第一次级脉冲以及被施加到所述MEMS反射镜的第二部分的第二次级脉冲。
9.如权利要求8所述的控制电路,其中,所述第一次级脉冲在所述MEMS反射镜的角度处于其最大负值时开始并且在所述MEMS反射镜的所述第一部分的最大电容的角度处终止,并且其中,所述第二次级脉冲在所述MEMS反射镜的所述角度处于其最大正值时开始并且在所述MEMS反射镜的所述第二部分的最大电容的角度处终止。
10.如权利要求7所述的控制电路,其中,所述第二激活脉冲集合中的所述激活脉冲中的每个激活脉冲具有比所述第一激活脉冲集合中的所述激活脉冲中的每个激活脉冲更短的占空比。
11.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述定时电路进一步被配置成用于控制对用于激活所述检测电路来监测所述MEMS反射镜处的所述电流的窗口信号的定时。
12.如权利要求11所述的控制电路,其中,所述定时电路被配置成用于在激活脉冲的末端附近激活所述检测电路以便监测所述MEMS反射镜处的所述电流。
13.如权利要求1所述的控制电路,其中,所述定时电路被配置成用于测量第一激活脉冲的长度,并且用于基于所述测量调整后续激活脉冲的电压。
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