[发明专利]一种半导体器件特性的测试分析方法

权利要求书

1.一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，包括以下方法：

X射线无损探伤分析，通过对半导体器件样品的内部工艺结构简单分析，在半导体器件样品的正上方方向和侧视方向上分别进行X射线的照射，然后分别得到半导体器件样品的正上方方向和侧视方向上的X射线照片，在这事先准备了半导体器件标准品的内部工艺结构的X射线照片进行对比观察，如果通过对比发现半导体器件的引线框架形貌、半导体器件中的芯片位置、半导体器件中的芯片尺寸、半导体器件中的引线键合定位、半导体器件中的键合丝数量中的任一项不一致或者出现键合丝严重破损断丝现象，则判定为不合格；

物理特性外部分析，对半导体器件样品进行外部物理特性分析，其中所述外部物理特性包括半导体器件的引线、半导体器件的引线焊区、半导体器件的封装壳体、半导体器件的封装盖帽、半导体器件的BGA封装焊球、半导体器件的BGA封装基板，如果其中任意一项出现缺陷现象，则判定为不合格；

耐腐蚀特性测试，将半导体器件样品在室温条件下放入测试有机溶剂中，液体表面确保超过半导体器件样品上层，浸泡时间为10~20min，然后用镊子或者夹子将半导体器件样品从有机溶剂中捞出，在室温条件下晾干，晾干后使用特定刷子以0.5~1N的压力在半导体器件样品上重复刷5~10次，观察半导体器件样品表面是否出现腐蚀、掉漆或断线现象。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述半导体器件特性的测试分析方法还包括声学扫描显微镜测试，利用声学扫描显微镜对半导体器件样品材料进行密度测量，然后将测量数据结果与半导体器件标准品对比，如果出现相同半导体样品的模塑化合物密度明显不一致、样品模塑化合物密度不均匀或者明显异常、样品内部结构不一致其中的任意一种情况，则判定为不合格。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述耐腐蚀特性测试中的有机溶剂按照质量分数包括以下成分：

乙醇 8~12份；

二氯甲烷 4~10份；

三氯丙烷 7~13份；

汽油 5~8份；

丁醇 3~15份；

松香油 2~13份；

苯乙烯 4~14份。

4.根据权利要求3所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述耐腐蚀特性测试中的有机溶剂按照质量分数包括以下成分：

乙醇 8份；

二氯甲烷 4份；

三氯丙烷 7份；

汽油 5份；

丁醇 3份；

松香油 2份；

苯乙烯 4份。

5.根据权利要求3所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述耐腐蚀特性测试中的有机溶剂按照质量分数包括以下成分：

乙醇 10份；

二氯甲烷 7份；

三氯丙烷10份；

汽油 6份；

丁醇 7份；

松香油 8份；

苯乙烯9份。

6.根据权利要求3所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述耐腐蚀特性测试中的有机溶剂按照质量分数包括以下成分：

乙醇12份；

二氯甲烷 10份；

三氯丙烷 13份；

汽油 8份；

丁醇 15份；

松香油 13份；

苯乙烯 14份。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述半导体器件特性的测试分析方法还包括先行偏振光检测方法，准备两个偏振片，在两个偏振片中间放置需要测试的半导体器件样品，半导体材料样品与两偏振片平行，用一光源产生强度均匀的光，垂直照射在其中一个偏振片上，使其产生线偏振光，该线偏振光再照射到半导体器件样品上，其透射光经过第二偏振片，最后被光学成像系统接收并显示，将半导体器件样品的光学成像系统与标准半导体器件的光学成像系统对比，如果出现明显的缺陷，则判定为不合格。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件特性的测试分析方法，其特征在于，所述耐腐蚀特性测试中的特定刷子指的是一种与牙刷尺寸大小一样的刷子，所述刷子的刷毛与刷柄是由耐腐蚀材料制成。