[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和标记区；在衬底上形成停止层；在停止层上形成阻挡层；在阻挡层上形成第一刻蚀层；在器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口；在器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在标记区形成第二标记开口；在第一刻蚀层上形成第二刻蚀层；在第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以光刻胶为掩膜对第二刻蚀层进行第三刻蚀，在器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，第一标记开口、第二标记开口和第三标记开口在衬底表面上的投影图形无公共交集。该形成方法能够提高套刻精度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

现有的半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区(Die)和位于单元区之间的切割道(Scribe lane)。其中，所述单元区用于后续形成半导体器件，切割道用于在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区(Die)分割时的切割线。

晶圆表面的单元区和切割道的划分，是通过光刻工艺将掩模板上的图形复制到晶圆表面实现的，具体方法包括：采用旋涂工艺在晶圆上形成光刻胶层；对该光刻胶层进行热处理后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着对曝光后的光刻胶层进行曝光后热处理，并通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图案。

在设计用于划分晶圆表面的单元区和切割道的光刻版图时，通常将光刻对准标记(alignment mark)和套刻测量标记(overlay mark)等光刻工艺中所需要用到的光刻图形形成在切割道。

在现有技术中，由于光刻工艺中的对准精度、晶圆偏移或聚焦精度等因素的影响，会使光刻胶在曝光的过程中，发生偏移、旋转、缩放或正交等方面的问题。因此，需要使用光刻对准标记对形成于同一层光刻胶上的不同单元区之间的曝光误差进行控制，从而保证套刻精度。

然而，现有技术形成的半导体结构的套刻精度较低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够提高所形成的半导体结构的套刻精度较低。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；在所述器件区和标记区衬底上形成停止层；在所述器件区和标记区停止层上形成阻挡层；在所述器件区和标记区阻挡层上形成第一刻蚀层；对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第一刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在所述标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口，所述第一标记开口在所述衬底表面的投影图形为第一投影图形；对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第二刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在所述标记区的阻挡层和第一刻蚀层中的一者或两者中形成第二标记开口，所述第二标记开口在所述衬底表面的投影图形为第二投影图形；在所述器件区和标记区第一刻蚀层上、第一开口中、第二开口中、第一标记开口中和第二标记开口中形成第二刻蚀层；在所述第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述第二刻蚀层进行第三刻蚀，在所述器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在所述标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，所述第三标记开口在所述衬底表面的投影图形为第三投影图形，所述第一投影图形、第二投影图形和第三投影图形无公共交集。

可选的，形成所述第一开口和第一标记开口的步骤包括：在所述第一刻蚀层上形成图形化的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一刻蚀层进行第一刻蚀；形成所述第二开口和第二标记开口的步骤包括：在所述第一刻蚀层上形成图形化的第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜对所述第一刻蚀层进行第二刻蚀。

可选的，所述第一投影图形与第二投影图形不重叠；或者所述第一投影图形与第三投影图形不重叠；或者所述第二投影图形与所述第三投影图形不重叠。