[发明专利]对电源输入输出进行分束保护的电路在审

专利信息
申请号: 201710172963.3 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN108631566A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 谭磊 申请(专利权)人: 圣邦微电子(北京)股份有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 100089 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 分束 源极 电流采样信号 电源线连接 电源输入 源极连接 总电源 漏极 电路 电源连接器 控制电路 连接开关 限流控制 输出 触点 均流 连线 电源
【权利要求书】:

1.对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,包括具有若干对触点的分束电源连接器,其中一对触点的电源输入侧连接第一分束电源线,另一对触点的电源输入侧连接第二分束电源线,所述第一分束电源线连接第一NMOS管的源极,所述第一NMOS管的漏极连接总电源端,所述第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的源极,所述第一NMOS管的通道面积是所述第二NMOS管的若干倍即n倍,所述第二NMOS管的漏极为第一分束电流采样信号节点,所述第二分束电源线连接第四NMOS管的源极,所述第四NMOS管的漏极连接所述总电源端,所述第四NMOS管的源极连接第五NMOS管的源极,所述第四NMOS管的通道面积是所述第五NMOS管的若干倍即n倍,所述第五NMOS管的漏极为第二分束电流采样信号节点,所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的栅极均连接开关控制电路。

2.根据权利要求1所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第一分束电流采样信号节点分别连接第三PMOS管的源极和第一放大器的负输入端,所述第一放大器的正输入端连接所述第一NMOS管的漏极,所述第一放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极灌出第一分束电流值的1/n采样。

3.根据权利要求1所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第二分束电流采样信号节点分别连接第六PMOS管的源极和第二放大器的负输入端,所述第二放大器的正输入端连接所述第四NMOS管的漏极,所述第二放大器的输出端连接所述第六PMOS管的栅极,所述第六PMOS管的漏极灌出第二分束电流值的1/n采样。

4.根据权利要求2所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第三PMOS管的漏极分别连接第一跨导放大器的正输入端和第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端连接第三放大器的负输入端,所述第一跨导放大器带有第一偏移,所述第一跨导放大器的负输入端通过所述第一偏移连接参考电压端,所述第一跨导放大器的输出端通过第三电阻连接参考电压端,所述第三放大器的正输入端连接参考电压端。

5.根据权利要求3所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第六PMOS管的漏极分别连接第二跨导放大器的正输入端和第二电阻的一端,所述第二电阻的另一端连接第三放大器的负输入端,所述第二跨导放大器带有第二偏移,所述第二跨导放大器的负输入端通过所述第二偏移连接参考电压端,所述第二跨导放大器的输出端通过第三电阻连接参考电压端,所述第三放大器的正输入端连接参考电压端。

6.根据权利要求4或5所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第三放大器的负输入端通过第四电阻连接第一输出电压端,所述第一输出电压端连接所述第三放大器的输出端。

7.根据权利要求6所述的对电源输入输出进行分束保护的电路,其特征在于,所述第三放大器的输出端连接第三跨导放大器的正输入端,所述第三跨导放大器带有第三偏移,所述第三跨导放大器的负输入端通过所述第三偏移连接参考电压端,所述第三跨导放大器的输出端通过第三电阻连接参考电压端,所述第三跨导放大器的输出端连接第四放大器的正输入端,所述第四放大器的负输入端连接参考电压端,所述第四放大器的输出端连接第二输出电压端。

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