[发明专利]一种制备Si定点取代非晶纳米线阵列的方法

权利要求书

1.一种制备Si定点取代Zn₂GeO₄非晶纳米线阵列的方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：

(1)将醋酸锌、氧化锗加入到水和乙二胺的混合溶剂中，所述的醋酸锌和氧化锗的质量比为1.0-2.0，水和乙二胺的体积比为1.0-2.0，醋酸锌在混合溶剂中的浓度为0.03～0.05M；

(2)将步骤(1)得到的混合物经磁力搅拌得到均匀溶液，控制磁力搅拌速率为500～1000r/min，控制温度为20～30℃，搅拌时间0.5-2h；

(3)将单晶Si片进行预处理，然后洗涤、干燥；

(4)在步骤(2)得到的均匀溶液中加入预处理好的单晶Si片，然后进行水热反应，所述的水热反应的温度控制在120～180℃，反应时间为10～20h；

(5)将反应产物冷却，洗涤、干燥，在Si片上得到最终产物。

2.根据权利要求1所述的一种制备Si定点取代Zn₂GeO₄非晶纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤(3)中单晶Si片进行预处理是依次用异丙醇、丙酮、乙醇超声15-30min。

3.根据权利要求1所述的一种制备Si定点取代Zn₂GeO₄非晶纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤(3)中预处理的单晶Si片经丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水进行洗涤、干燥。

4.根据权利要求1所述的一种制备Si定点取代Zn₂GeO₄非晶纳米线阵列的方法，其特征在于，步骤(5)中的反应产物冷却后采用乙醇和去离子水交替洗涤，然后真空干燥12～24h。