[发明专利]延长非易失性存储器的使用寿命的系统、方法及计算机程序产品

权利要求书

1.一种用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，包括：

存储有机器指令的存储器；和

连接到所述存储器的处理器，其执行所述机器指令以将非易失性存储器单元从第一配置重新配置为第二配置，所述第一配置存储从由第一数量的状态构成的组中选择的一个当前状态，所述第二配置存储从由第二数量的状态构成的组中选择的一个当前状态，其中，所述第一数量大于所述第二数量；

所述从第一配置重新配置为第二配置是指通过重新配置闪存单元的阈值电压分布来重新配置多位存储器单元，其中，所述第二配置包括：使用最小阈值电压分布相对应的最小电压电平和最大阈值电压分布相对应的最大电压电平对存储器单元进行编程；

其中，所述非易失性存储器单元是指，实现NAND闪存或NOR闪存的固态驱动器的固态存储装置中的存储单元。

2.根据权利要求1所述的用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，其特征在于，所述处理器还执行所述机器指令以将所述单元从所述第一配置重新配置为所述第二配置，所述第一配置存储从由最小状态、至少一个中间状态和最大状态构成的组中选择的一个当前状态，所述第二配置存储从由所述最小状态和所述最大状态构成的组中选择的一个当前状态。

3.根据权利要求2所述的用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，其特征在于，所述最小状态对应于最小阈值电压分布，所述最大状态对应于最大阈值电压分布，所述最小阈值电压分布和所述最大阈值电压分布对应于从由多级单元NAND闪存或三级单元NAND闪存构成的组中选择的一个。

4.根据权利要求1所述的用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，其特征在于，所述处理器还执行所述机器指令以将所述非易失性存储器单元登记为快闪转换层中的重新配置单元，所述非易失性存储器单元包括固态硬盘中的NAND闪存单元的块。

5.根据权利要求1所述的用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，其特征在于，所述处理器还执行所述机器指令以将所述非易失性存储器单元登记为快闪转换层中的重新配置单元。

6.根据权利要求1所述的用于延长非易失性存储器的使用寿命的系统，其特征在于，所述处理器还执行所述机器指令以监视与所述非易失性存储器单元相关联的状况，并基于所述状况选择包括要继续使用的非易失性存储器单元的固态驱动器。

7.一种延长非易失性存储器的使用寿命的方法，包括：

将非易失性存储器单元从第一配置重新配置为第二配置，所述第一配置存储从由第一数量的状态构成的组中选择的一个当前状态，所述第二配置存储从由第二数量的状态构成的组中选择的一个当前状态，其中，所述第一数量大于所述第二数量；

所述从第一配置重新配置为第二配置是指通过重新配置闪存单元的阈值电压分布来重新配置多位存储器单元，其中，所述第二配置包括：使用最小阈值电压分布相对应的最小电压电平和最大阈值电压分布相对应的最大电压电平对存储器单元进行编程；

其中，所述非易失性存储器单元是指，实现NAND闪存或NOR闪存的固态驱动器的固态存储装置中的存储单元。

8.根据权利要求7所述的延长非易失性存储器的使用寿命的方法，其特征在于，在所述重新配置之前，大于第一预定电压但小于第二预定电压的与所述非易失性存储器单元的存储器单元相关联的阈值电压读数指示了第一中间状态，在所述重新配置之后，小于第二预定电压的阈值电压读数指示了最小状态。

9.根据权利要求7所述的延长非易失性存储器的使用寿命的方法，其特征在于，在所述重新配置之前，大于第一预定电压但小于第二预定电压的与所述非易失性存储器单元的存储器单元相关联的阈值电压读数指示了第一中间状态，在所述重新配置之后，大于第一预定电压的阈值电压读数指示了最大状态。