[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法

权利要求书

1.一种硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，该方法使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜太阳能电池中硒化锑薄膜层的表面，并以经处理后的硒化锑薄膜层的表面作为硒化锑薄膜太阳能电池的背表面。

2.如权利要求1所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜层的表面，是将所述含有二硫化碳的液体滴加在所述硒化锑薄膜层的表面上，静置处理一段时间后再移除该含有二硫化碳的液体。

3.如权利要求2所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述移除含有二硫化碳的液体是利用匀胶机甩干。

4.如权利要求3所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，该匀胶机是采用每分钟1000-3000转，甩干时间为30-50s。

5.如权利要求2所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，在移除该含有二硫化碳的液体后，还使用去离子水清洗所述硒化锑薄膜层的表面，所述去离子水是利用匀胶机甩干。

6.如权利要求5所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，该匀胶机是采用每分钟1000-3000转，甩干时间为30-50s。

7.如权利要求1所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述使用含有二硫化碳的液体接触处理硒化锑薄膜层的表面，是在20℃～30℃下进行的。

8.如权利要求1所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述含有二硫化碳的液体为纯二硫化碳液体，所述纯二硫化碳液体静置接触该硒化锑薄膜层的时间为10s～30s。

9.如权利要求1所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述含有二硫化碳的液体为二硫化碳溶液，该二硫化碳溶液中溶质二硫化碳的体积百分比为50％-100％，溶剂为有机溶剂；所述二硫化碳溶液静置接触该硒化锑薄膜层的时间为10s-10min。

10.如权利要求9所述硒化锑薄膜太阳能电池的背表面处理方法，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇、乙醚中的至少一种。

11.一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

以透明导电玻璃作为基片，在该基片上沉积n型半导体缓冲层；接着，在该n型半导体缓冲层上制备硒化锑薄膜层；然后，使用含有二硫化碳的液体接触处理所述硒化锑薄膜层的表面；接着，在经处理后的硒化锑薄膜层的表面上制备电极，从而形成硒化锑薄膜太阳能电池。

12.如权利要求11所述硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述n型半导体缓冲层为硫化镉、氧化锌或二氧化钛。

13.如权利要求11所述硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电玻璃为ITO或FTO。