[发明专利]电介质膜和电子部件

说明书

本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。

技术领域

本发明涉及一种电介质膜以及电子部件。

背景技术

为了应对以智能手机和平板电脑为代表的移动通信设备的进一步高速大容量通信化而开始进行同时使用多个频带的MIMO技术(多输入多输出，Multi-Input Multi-Output)的实用化。如果通信中使用的频带增大，则每个频带需要各自的高频部件，为了维持设备尺寸地增加部件数量，寻求各部件的进一步小型化、高功能化。

作为这样的对应高频的电子部件，例如有双工器或带通滤波器等。这些均由担负电容的电介质和担负电感的磁性体的组合构成，但为了得到良好的高频特性，寻求抑制分别在高频区域的损耗。

如果着眼于电介质，则(1)作为对于小型化要求的应对，为了减小电容部的面积而要求相对介电常数(εr)高；(2)为了使频率的选择性良好而要求介电损耗小、即Q值高；(3)要求绝缘击穿电压高等。

例如，通常非晶SiNx膜由于高频(2GHz)下的Q值高达500左右，绝缘击穿电压也高达500V/μm～700V/μm左右，因此，广泛地用于对应高频的电子部件中，但是由于相对介电常数低至7左右，因此，为了具有目标的功能而需要大的电极面积，从而难以响应小型化的要求。另外，近年来伴随着通信技术的进步，期望高频部件特性的进一步提高，即寻求具有高的Q值以及高的绝缘击穿电压的电介质。为了响应这样的要求，近年来开始研究将以MgO或CaO等为代表的NaCl型的碱土金属为主成分的电介质膜。作为其理由，是由于在1μm以上的厚膜下具有超过所述非晶SiNx膜的特性的特性，即，具有高的相对介电常数(>7)、高的Q值(>500)以及绝缘击穿电压(>700V/μm)。

在非专利文献1中，公开了将具有NaCl型晶体结构的MgO厚膜制成小于1μm的薄膜的技术。报道了制得的MgO薄膜其厚度为260nm，在测定频率1KHz下显示εr＝7、Q＝20，绝缘击穿电压(Vbd)为80V/μm。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：Journal of Sol-Gel Science and Technology 9,295-301(1997)“Electrical and Optical Properties of MgO Thin Film Prepared by Sol-GelTechnique”

发明内容

发明所要解决的技术问题

如观察非专利文献1中得到的电介质膜的特性可知，一直以来MgO厚膜下得到的高的相对介电常数和高的Q值以及绝缘击穿电压由于进行薄膜化而急剧地降低。即使观察得到的电介质膜的特性值，降低所述非晶SiNx膜的特性，当然对于用于高频部件来说也不充分。这样，以NaCl型的碱土金属为主成分的电介质膜存在薄膜时难以显示良好的特性的技术问题。目前，作为其原因之一认为是电介质膜的膜结构没有被最优化。

用于解决技术问题的技术手段

本发明鉴于这样的实际情况，其目的在于提供一种在以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分的电介质膜中，即使将膜厚制成1μm以下的情况下也具有高的相对介电常数、高的Q值、以及高的绝缘击穿电压的电介质膜、以及使用该电介质膜的电子部件。

为了达成上述目的，本发明所涉及的电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，